70T633S10BCI

70T633S10BCI Renesas Electronics Микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная память вспомогательного типа)
• Объем: 9 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Количество строк: 256
• Монтаж: 256CA BGA (Более точный перевод: 256CA BGJ)

Основные параметры:

• Технология: Синхронная работа с системной шиной
• Время доступа: Определяется производителем
• Рабочие напряжения: Питание 3,3 В
• Ширина данных: 36 бит

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Надежность из-за синхронной работы
• Поддержка больших объемов данных
• Простота интеграции в системы

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с асинхронными RAM-модулями
• Требует более сложной электроники для управления

Общее назначение:

• Кэш-память процессоров
• Короткосрочное хранение данных в системах управления
• Работа с высокоскоростными алгоритмами и приложениями

Применение в устройствах:

• Личные компьютеры
• Системы управления
• Сетевые устройства
• Системы обработки сигналов
• Автомобильные системы