70V657S10BCG

70V657S10BCG от Renesas Electronics — микросхема SRAM с параметрами 1.125 Мбит.

• Основные параметры:
  • Тип памяти: SRAM (Синхронная случайная память)
  • Объем памяти: 1.125 Мбит
  • Количество битов на ячейку: 11 битов (256 x 4 бит)
  • Пакетная шина: 11 битов
  • Форм-фактор: 256CABGA
• Плюсы:
  • Высокая скорость доступа к данным
  • Стабильность и надежность работы
  • Поддержка параллельного доступа к данным
  • Малый размер и высокая плотность
• Минусы:
  • Высокое энергопотребление по сравнению с DRAM
  • Более дорогая стоимость по сравнению с DRAM
• Общее назначение:
  • Хранение временных данных и конфигурационной информации
  • Буферизация данных для быстрого доступа
  • Содержание таблиц и инструкций для микроконтроллеров
• В каких устройствах применяется:
  • Микроконтроллеры и микрокомпьютеры
  • Программное обеспечение для систем управления
  • Интеллектуальные датчики и измерительные приборы
  • Автоматизация промышленных процессов
  • Различные электронные устройства потребления