71256SA25YG

71256SA25YG RENESAS Микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная память с запоминанием)
• Объем: 256 KBit (32 КБ)
• Интерфейс: Парallel (Параллельный)
• Количество выводов: 28 (28 SOJ — Surface-Открытый Объединенный Жакет)

Основные параметры:

• Технология: Скоростная и надежная технология производства Renesas
• Напряжение питания: Обычно 3,3 В или 5 В
• Частота работы: Высокая для SRAM, но точное значение зависит от конкретной модели и условий использования
• Температурный диапазон: Обычно от -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: Один из самых быстрых типов памяти
• Стабильность: Хорошо подходит для критических систем, где необходима надежность
• Простота управления: Легко интегрируется в системы управления и контроллеры

Минусы:

• Высокая стоимость: По сравнению с DRAM, SRAM более дорогой
• Высокое потребление энергии: В отличие от DRAM, SRAM требует постоянного питания
• Меньший объем: Для больших объемов данных лучше использовать другие типы памяти

Общее назначение:

• Кэш память: Часто используется для кэширования данных в процессорах и графических адаптерах
• Работа с операционными системами: Поддерживает быстрое выполнение операционных систем
• Программное обеспечение: Хранит временные данные программы во время выполнения

В каких устройствах применяется:

• Процессоры: Интегрируется в процессоры для кэш памяти
• Графические карты: Используется для хранения временных данных при обработке изображений
• Устройства связи: Поддерживает быструю передачу данных в сетевых адаптерах
• Автомобильные системы: Используется для хранения критически важной информации в автомобильных системах