71V35761S183PFI

71V35761S183PFI IDT, Интегральная микросхема (ИМС) SRAM:

• Объем памяти: 4.5 Мбит
• Тип интерфейса: Параллельный
• Количество пинов: 100TQFP

Основные параметры:

• Тип памяти: Синхронная RAM (SRAM)
• Объем: 4.5 Мбит (562.5 КБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 100-пиновый TQFP (Thin Quad Flat Package)

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: SRAM обеспечивает быстрый доступ к данным по сравнению с DRAM.
• Стабильность: SRAM не требует постоянного обновления данных, что делает его более стабильным.
• Низкая вероятность ошибок: SRAM менее подвержен ошибкам, чем DRAM.

Минусы:

• Высокая стоимость: SRAM обычно дороже DRAM на единицу объема.
• Занимает больше места на чипе: Для того же объема памяти SRAM занимает больше места на микросхеме.

Общее назначение:

• Кэш-память процессоров
• Буферное хранение временных данных
• Процессорные контроллеры
• Программное обеспечение для систем управления

Применяется в:

• Компьютерах
• Системах управления
• Процессорных системах
• Телекоммуникационных устройствах