71V35761S200PF

71V35761S200PF IDT, Интегральная микросхема:

• Тип: СРАМ (память с последовательным адресованием и параллельным интерфейсом)
• Объем памяти: 4.5 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Пакет: 100TQFP (100-핀Quad Flat Package)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 3.3 В
• Частота работы: до 100 МГц
• Количество битов на строку: 36 бит

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным, что важно для систем требующих быстрого отклика.
• Большой объем памяти, позволяющий хранить значительное количество данных.
• Параллельный интерфейс, обеспечивающий высокую скорость передачи данных.

Минусы:

• Высокое энергопотребление, особенно при работе на высокой частоте.
• Сложность реализации в сравнении с ОЗУ DRAM.
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти.

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах и графических картах.
• Хранение временных данных в системах управления.
• Буферная память для обработки больших объемов данных.

Применение:

• Процессоры.
• Графические карты.
• Системы управления и контроллеры.
• Беспроводные устройства.
• Телекоммуникационные системы.