71V35761YSA200BG

71V35761YSA200BG IDT, Integrated Device Technology Inc Микросхема:

• Тип: SRAM (память с последовательным доступом)
• Объем: 4.5 Mbit (мегабитов)
• Параллельный интерфейс: Да
• Количество пинов: 119 PBGA (плоский бурый гетерогенный пакет)

Основные параметры:

• Ширина данных: 36 бит
• Частота работы: до 83 MHz
• Входное напряжение: 3.3 V

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость к ошибкам благодаря проверке и исправлению ошибок (ECC)
• Малый размер и высокая плотность

Минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с DRAM
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM

Общее назначение:

• Кэш-память процессоров
• Буферная память для графических процессоров
• Короткосрочная временная память для временного хранения данных в приложениях и системах

В каких устройствах применяется:

• Личные компьютеры
• Ноутбуки
• Серверы
• Профессиональное оборудование
• Графические карты