71V65603S150PFG

71V65603S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc микросхема:

• IC SRAM 9МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ 100TQFP

Основные параметры:

• Тип: Память с запоминанием по адресу (SRAM)
• Объем: 9 МБит
• Интерфейс: Параллельный
• Пакетная разновидность: 100TQFP (100-пиновый поверхностно монтируемый пакет)

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: SRAM обеспечивает быстрый доступ к данным по сравнению с DRAM.
• Стабильность работы: SRAM не требует регенерации данных, что делает его более стабильным для применения в системах высокой надежности.
• Низкий уровень энергопотребления: Для своего типа SRAM потребляет меньше энергии.

Минусы:

• Высокая стоимость: SRAM обычно дороже DRAM на единицу хранения.
• Большое количество транзисторов: SRAM использует больше транзисторов для хранения одного байта данных, что увеличивает площадь микросхемы и затрудняет масштабирование.

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Кэширование
• Системное программное обеспечение и конфигурационная информация

В каких устройствах применяется:

• Системы высокой производительности
• Сетевые устройства
• Оборудование для хранения данных
• Профессиональные компьютеры и серверы