71V65803S100BG

71V65803S100BG IDT, Integrated Device Technology Inc Микросхема: IC SRAM 9МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬ 119PBGA

• Основные параметры:
• Тип: СРАМ (память с сохранением)
• Объем: 9 Мбит (мегабитов)
• Форм-фактор: 119PBGA (119-пиновый Ball Grid Array)
• Интерфейс: параллельный
• Плюсы:
• Высокая скорость доступа к данным
• Надежность благодаря технологии памяти SRAM
• Удобство использования из-за стандартного форм-фактора
• Минусы:
• Высокое энергопотребление по сравнению с ОЗУ DRAM
• Более высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Общее назначение:
• Кэширование данных для ускорения работы процессора
• Сохранение временных данных в приложениях и операционных системах
• В каких устройствах применяется:
• ПК и ноутбуки для кэширования данных процессора
• Серверное оборудование для критически важных приложений
• Устройства для высоконагруженных вычислений