71V65803S100BGG

71V65803S100BGG IDT, Интегральная микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная вольфрамовая память)
• Объем: 9 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Пакет: 119PBGA (119-пиновый Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Скорость работы: до 100 МГц
• Напряжение питания: 2.5 В
• Количество битов: 9 Мбит (1 Мбайт)
• Тип памяти: с паритетной проверкой

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Стабильность работы даже при высокой частоте
• Поддержка паритетной проверки для повышения надежности

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с НРАМ
• Более высокая стоимость по сравнению с НРАМ

Общее назначение:

• Кэш-память процессоров
• Буферы данных
• Системная память в специализированных устройствах

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры и серверы
• Мобильные устройства
• Телекоммуникационное оборудование
• Производственное и научно-исследовательское оборудование