71V67803S150BQ

71V67803S150BQ IDT, Интегральная микросхема (ИМС): SRAM 9МБит параллельный интерфейс 165CABGA

• Основные параметры:
• Тип: Синхронная память с разрядом (SRAM)
• Объем памяти: 9 Мбит (1 Мбайт)
• Интерфейс: Парallel (параллельный)
• Пакет выводов: 165CABGA (165-контактный мультивыводной гетерогенный глиссадный массив)
• Плюсы:
• Высокая скорость работы
• Низкий уровень битовой ошибки благодаря синхронному управлению
• Гибкость в использовании из-за параллельного интерфейса
• Минусы:
• Высокая энергопотребляемость по сравнению с асинхронными памятью
• Более сложная реализация по сравнению с асинхронными памятью
• Общее назначение:
• Кэш-память в процессорах и других микросхемах
• Буферизация данных в системах хранения информации
• Создание временных регистров в цифровых системах
• В каких устройствах применяется:
• Процессоры и системы на чипе (SoC)
• Хранилища данных и серверное оборудование
• Медиа-устройств и систем обработки сигналов