AFV10700HR5 транзистор, LDMOS (Dual), 1.03ГГц ~ 1.09ГГц, 50В, 770Вт

AFV10700HR5 NXP Semiconductors Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4

• Основные параметры:
  • Тип: RF MOSFET (MOSFET для радиочастотных приложений)
  • Структура: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
  • Номинальное напряжение: 50В
  • Обозначение: NI-780-4
• Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Устойчивость к излучению
  • Надежность работы в радиочастотном диапазоне
  • Малый размер
• Минусы:
  • Высокие требования к охлаждению
  • Сложный дизайн печатной платы
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Общее назначение:
  • Использование в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
  • Применяются в системах передачи и приема сигналов
  • Подходят для работы в широком диапазоне частот
• В каких устройствах применяется:
  • Радиоприемники и трансляторы
  • Коммуникационные системы
  • Системы спутниковой связи
  • Автомобильные радары и системы обнаружения
  • Телевизионные трансляторы