Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AON7280

AON7280

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена AON7280 при покупке от 1 шт 175 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AON7280 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AON7280

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1871 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    6.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
Техническая документация
8057130.pdf
pdf. 0 kb
  • 1616 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    175 ₽
  • 5
    169 ₽
  • 25
    163 ₽
  • 100
    157 ₽
  • 500
    151 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена AON7280 при покупке от 1 шт 175 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AON7280 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AON7280

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1871 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    6.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
Техническая документация
8057130.pdf
pdf. 0 kb