Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
APT75GP120JDQ3
  • В избранное
  • В сравнение
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3
;
APT75GP120JDQ3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT75GP120JDQ3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT75GP120JDQ3 при покупке от 1 шт 8959.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT75GP120JDQ3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3 Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 1200 В
    • Рейтингный ток (ITO): 128 А
    • Рейтингная мощность (PON): 543 Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель: Microchip Technology
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Thermal Pad)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Малый тепловой сопротивление (низкий RthJC)
    • Высокий коэффициент усиления (high gain)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании и управлении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в системах управления промышленными электродвигателями
    • Использование в солнечных энергетических системах
    • Применение в системах питания и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики APT75GP120JDQ3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    128 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1.25 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.04 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT75GP120

Техническая документация

 APT75GP120JDQ3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2091 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 959 ₽
  • 100
    7 735 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT75GP120JDQ3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT75GP120JDQ3 при покупке от 1 шт 8959.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT75GP120JDQ3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3 Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 1200 В
    • Рейтингный ток (ITO): 128 А
    • Рейтингная мощность (PON): 543 Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель: Microchip Technology
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Thermal Pad)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Малый тепловой сопротивление (низкий RthJC)
    • Высокий коэффициент усиления (high gain)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании и управлении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в системах управления промышленными электродвигателями
    • Использование в солнечных энергетических системах
    • Применение в системах питания и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики APT75GP120JDQ3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    128 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1.25 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.04 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT75GP120

Техническая документация

 APT75GP120JDQ3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    10 942Кешбэк 1 641 балл
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    11 743Кешбэк 1 761 балл
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    12 948Кешбэк 1 942 балла
    APTGT50X60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    13 806Кешбэк 2 070 баллов
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    32 094Кешбэк 4 814 баллов
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    33 549Кешбэк 5 032 балла
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    33 549Кешбэк 5 032 балла
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    47 619Кешбэк 7 142 балла
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    54 047Кешбэк 8 107 баллов
    FMG2G50US60Транзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    6 176Кешбэк 926 баллов
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    7 946Кешбэк 1 191 балл
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 417Кешбэк 1 262 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 881Кешбэк 1 332 балла
    FMG1G100US60LТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 881Кешбэк 1 332 балла
    APT50GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
    6 649Кешбэк 997 баллов
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    222 493Кешбэк 33 373 балла
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    8 320Кешбэк 1 248 баллов
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 472Кешбэк 1 270 баллов
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    23 323Кешбэк 3 498 баллов
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    27 514Кешбэк 4 127 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    40 302Кешбэк 6 045 баллов
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    60 605Кешбэк 9 090 баллов
    CM150RX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 150A 1150W
    56 988Кешбэк 8 548 баллов
    IXXN110N65C4H1Транзистор: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
    5 199Кешбэк 779 баллов
    IXYN100N65C3H1Транзистор: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
    5 627Кешбэк 844 балла
    IXXN110N65B4H1Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
    5 699Кешбэк 854 балла
    IXGN72N60C3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
    5 893Кешбэк 883 балла
    IXXN100N60B3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
    5 898Кешбэк 884 балла
    IXYN82N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    6 521Кешбэк 978 баллов
    IXYN120N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
    6 973Кешбэк 1 045 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП