Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
APT75GP120JDQ3
  • В избранное
  • В сравнение
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3
;
APT75GP120JDQ3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT75GP120JDQ3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT75GP120JDQ3 при покупке от 1 шт 8708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT75GP120JDQ3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3 Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 1200 В
    • Рейтингный ток (ITO): 128 А
    • Рейтингная мощность (PON): 543 Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель: Microchip Technology
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Thermal Pad)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Малый тепловой сопротивление (низкий RthJC)
    • Высокий коэффициент усиления (high gain)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании и управлении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в системах управления промышленными электродвигателями
    • Использование в солнечных энергетических системах
    • Применение в системах питания и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики APT75GP120JDQ3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    128 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1.25 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.04 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT75GP120

Техническая документация

 APT75GP120JDQ3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2091 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 708 ₽
  • 10
    8 374 ₽
  • 25
    8 157 ₽
  • 100
    7 090 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT75GP120JDQ3
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT75GP120JDQ3 при покупке от 1 шт 8708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT75GP120JDQ3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3 Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 1200 В
    • Рейтингный ток (ITO): 128 А
    • Рейтингная мощность (PON): 543 Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Производитель: Microchip Technology
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Thermal Pad)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение динамического сопротивления
    • Малый тепловой сопротивление (низкий RthJC)
    • Высокий коэффициент усиления (high gain)
    • Устойчивость к ударным напряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании и управлении
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в системах управления промышленными электродвигателями
    • Использование в солнечных энергетических системах
    • Применение в системах питания и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики APT75GP120JDQ3

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    128 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1.25 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.04 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT75GP120

Техническая документация

 APT75GP120JDQ3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FMG2G400US60Транзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    21 850Кешбэк 3 277 баллов
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    18 355Кешбэк 2 753 балла
    APT70GR120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    7 516Кешбэк 1 127 баллов
    APTGT75A60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    15 249Кешбэк 2 287 баллов
    APT65GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    9 978Кешбэк 1 496 баллов
    CPV364M4UIGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2
    32 616Кешбэк 4 892 балла
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    216 995Кешбэк 32 549 баллов
    MG12300D-BN2MMТранзистор: IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
    34 943Кешбэк 5 241 балл
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 263Кешбэк 1 239 баллов
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    59 107Кешбэк 8 866 баллов
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    26 834Кешбэк 4 025 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    39 306Кешбэк 5 895 баллов
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    22 747Кешбэк 3 412 баллов
    VS-GB70NA60UFТранзистор: IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
    3 807Кешбэк 571 балл
    VS-CPV362M4UPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
    8 893Кешбэк 1 333 балла
    VS-GT100NA120UXТранзистор: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
    11 116Кешбэк 1 667 баллов
    VS-CPV363M4FPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
    6 020Кешбэк 903 балла
    IXGN320N60A3Транзистор: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
    7 055Кешбэк 1 058 баллов
    IXYN100N65C3H1Транзистор: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
    5 601Кешбэк 840 баллов
    IXYN100N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
    7 262Кешбэк 1 089 баллов
    IXGN200N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
    9 135Кешбэк 1 370 баллов
    IXYN100N120B3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 165A 690W SOT227B
    6 688Кешбэк 1 003 балла
    IXXN100N60B3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
    5 753Кешбэк 862 балла
    IXYN82N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    5 375Кешбэк 806 баллов
    IXYN82N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    6 360Кешбэк 954 балла
    IXGN400N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
    10 240Кешбэк 1 536 баллов
    IXYN120N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
    6 801Кешбэк 1 020 баллов
    IXGN72N60C3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
    5 747Кешбэк 862 балла
    IXYN100N65A3Транзистор: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B
    5 593Кешбэк 838 баллов
    IXGN100N170Транзистор: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
    13 258Кешбэк 1 988 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП