APT75GP120JDQ3 IGBT-модуль, PT, Single, 1200В, 128А, 543Вт

APT75GP120JDQ3 Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

• Основные параметры:
• Рейтингное напряжение (V_CEO): 1200 В
• Рейтингный ток (I_TO): 128 А
• Рейтингная мощность (P_ON): 543 Вт
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Производитель: Microchip Technology
• Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Thermal Pad)
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Низкое значение динамического сопротивления
• Малый тепловой сопротивление (низкий R_thJC)
• Высокий коэффициент усиления (high gain)
• Устойчивость к ударным напряжениям
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Сложность в проектировании и управлении
• Общее назначение:
• Использование в силовых преобразователях
• Применение в инверторах для управления двигателем
• Интеграция в системах управления промышленными электродвигателями
• Использование в солнечных энергетических системах
• Применение в системах питания и регулирования напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания и управления
• Инверторы для домашнего использования
• Промышленные преобразователи частоты
• Энергосберегающие системы освещения
• Системы управления электродвигателями в промышленности