Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
APTGT200A120G
  • В избранное
  • В сравнение
APTGT200A120G

APTGT200A120G

APTGT200A120G
;
APTGT200A120G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTGT200A120G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6Все характеристики

Минимальная цена APTGT200A120G при покупке от 1 шт 34394.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTGT200A120G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTGT200A120G

APTGT200A120G Microchip Technology Транзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 280А
    • Мощность: 890ВА
    • Количество полупроводниковых элементов: 6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Простота управления
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения
    • Сложность в выборе и подключении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в силовых преобразователях
    • Регулирование напряжения и тока
    • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Системы управления двигателем
    • Питание промышленного оборудования
    • Трансформаторы и выпрямители
Выбрано: Показать

Характеристики APTGT200A120G

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    280 A
  • Рассеивание мощности
    890 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    350 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    14 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP6
  • Исполнение корпуса
    SP6
  • Base Product Number
    APTGT200

Техническая документация

 APTGT200A120G.pdf
pdf. 0 kb
  • 56 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    34 394 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTGT200A120G
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6Все характеристики

Минимальная цена APTGT200A120G при покупке от 1 шт 34394.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTGT200A120G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTGT200A120G

APTGT200A120G Microchip Technology Транзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 280А
    • Мощность: 890ВА
    • Количество полупроводниковых элементов: 6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Простота управления
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения
    • Сложность в выборе и подключении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в силовых преобразователях
    • Регулирование напряжения и тока
    • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Системы управления двигателем
    • Питание промышленного оборудования
    • Трансформаторы и выпрямители
Выбрано: Показать

Характеристики APTGT200A120G

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    280 A
  • Рассеивание мощности
    890 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    350 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    14 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP6
  • Исполнение корпуса
    SP6
  • Base Product Number
    APTGT200

Техническая документация

 APTGT200A120G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП