AS4C16M16SA-6BINTR микросхема памяти, SDRAM, 256Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В

Микросхема AS4C16M16SA-6BINTR Alliance Memory IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA:

• Основные параметры:
• Тип: DRAM (Параллельная)
• Объем: 256 Мбит (32 МБ)
• Пакет: 54TFBGA (54-пиновый флексible thin ball grid array)
• Частота работы: до 66 МГц
• Плюсы:
• Высокая плотность хранения данных
• Экономичное потребление энергии
• Устойчивость к помехам благодаря параллельной структуре
• Простота интеграции с другими компонентами
• Минусы:
• Скорость работы ниже, чем у современных типов памяти
• Не подходит для высокоскоростных приложений
• Требует дополнительного оборудования для управления
• Общее назначение:
• Использование в системах управления, промышленных контроллерах и других приложениях, где важна высокая плотность хранения и экономичность
• Поддержка операционных систем и приложений, требующих больших объемов оперативной памяти
• В каких устройствах применяется:
• Промышленные контроллеры и системы автоматизации
• Телекоммуникационные устройства
• Системы управления производственными процессами
• Автоматизированные системы обработки данных