AS4C256M16D3C-12BIN модуль памяти, SDRAM - DDR3, 4Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В

AS4C256M16D3C-12BIN от Alliance Memory, Inc.

• Тип: IC DRAM (интегральная микросхема динамической памяти)
• Объем: 4 Гбит (4 ГБ)
• Интерфейс: параллельный
• Форм-фактор: 96FBGA (96-пиновый Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: до 133 МГц
• Размеры пакета: 7,62 x 7,62 мм
• Напряжение питания: 2,5 В
• Количество битов на строку: 16

Плюсы:

• Высокая плотность данных (4 ГБ)
• Малый размер пакета (96FBGA)
• Низкое напряжение питания (2,5 В)
• Высокая скорость работы (до 133 МГц)

Минусы:

• Требует поддержки высоких частот работы
• Необходимо наличие соответствующего разъема и платформы

Общее назначение:

• Управление большими объемами данных в системах хранения информации
• Встроенные системы управления памятью
• Процессорные системы и графические процессоры

Применяется в:

• Системах хранения данных
• Процессорных системах
• Графических процессорах
• Системах обработки больших объемов информации