AS4C256M16MD4-062BAN

AS4C256M16MD4-062BAN от Alliance Memory, Inc.

• Тип микросхемы: DRAM (Dynamic Random Access Memory)

• Объем памяти: 2 Гбит или 256 МБ

• Напряжение питания: 1,8 В

• Стандарт: LVSTL (Low Voltage Swing Termination Logic)

• Количество выводов: 200 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)

• Основные параметры:

• + Высокая плотность памяти

• + Энергетически эффективный

• + Доступен в компактном форм-факторе FBGA

• - Ограниченная скорость работы по сравнению с современными DRAM модулями

• - Не подходит для высокоскоростных систем

• Общее назначение:

• Используется в различных приложениях, где требуется небольшой объем высокоскоростной памяти, но при этом важна энергоэффективность и компактность.

• В каких устройствах применяется:

• + Компьютеры и серверы

• + Системы хранения данных

• + Автомобильные системы

• + Системы связи и коммуникаций