AS4C512M16D3LA-10BIN

AS4C512M16D3LA-10BIN от Alliance Memory, Inc.

• Тип: Микросхема DRAM (память с динамическим запоминанием)
• Объем: 8 Гбит (8 Гб)
• Параллельное соединение: 96 FBGA (Flip-Chip Ball Grid Array) - тип пакета

Основные параметры:

• Технология: 90 нм
• Рабочее напряжение: 1.8 В
• Частота: до 270 МГц
• Интерфейс: 96 бит параллельный

Плюсы:

• Высокая плотность данных: 8 Гбит в одном чипе
• Энергоэффективность: низкое потребление энергии для своей емкости
• Минимальная площадьpcb: благодаря компактному пакету FBGA

Минусы:

• Уязвимость к помехам: DRAM требует регулярного обновления информации
• Скорость: относительно медленно по сравнению с современными видами памяти
• Сложность управления: требует сложных протоколов управления

Общее назначение:

• Буферная память для процессоров и графических карт
• Память для сетевых устройств и серверов
• Компоненты для промышленной электроники и систем хранения данных

Применяется в:

• Ноутбуках и персональных компьютерах
• Сетевых устройствах и маршрутизаторах
• Промышленных контроллерах и системах автоматизации
• Системах хранения данных и серверах