Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Интегральные микросхемы
Модули памяти
AS4C64M16D2A-25BIN
  • В избранное
AS4C64M16D2A-25BIN

AS4C64M16D2A-25BIN модуль памяти, SDRAM - DDR2, 1Гбит, Parallel, 400МГц, 1.7В ~ 1.9В

  • В избранное
AS4C64M16D2A-25BIN
AS4C64M16D2A-25BIN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Alliance Memory, Inc.
  • Артикул:
    AS4C64M16D2A-25BIN
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGAВсе характеристики

Минимальная цена AS4C64M16D2A-25BIN при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AS4C64M16D2A-25BIN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики AS4C64M16D2A-25BIN

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    DRAM
  • Технология
    SDRAM - DDR2
  • Объем памяти
    1Gb (64M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Clock Frequency
    400 MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page
    15ns
  • Время доступа
    400 ps
  • Напряжение питания
    1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    84-TFBGA
  • Исполнение корпуса
    84-FBGA (8x12.5)
  • Base Product Number
    AS4C64

Техническая документация

 AS4C64M16D2A-25BIN.pdf
pdf. 0 kb

Описание AS4C64M16D2A-25BIN

Микросхема AS4C64M16D2A-25BIN ALLIANCE MEMORY

  • Тип: DRAM (Память с динамическим доступом)
  • Объем памяти: 1 Гбит (128 МБ)
  • Интерфейс: Параллельный (84FBGA)
  • Напряжение питания: 2.5 В
  • Частота работы: До 200 МГц
  • Форм-фактор: 84 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

  • Время доступа: 4-5 нс
  • Количество битов на строку: 16
  • Тип операций: Read/Write

Плюсы:

  • Высокая скорость работы
  • Надежность и стабильность
  • Экономичное энергопотребление
  • Удобство интеграции в различные системы

Минусы:

  • Требует постоянного питания для сохранения данных
  • Сложность программирования по сравнению с статической памятью

Общее назначение:

  • Обработка больших объемов данных
  • Поддержка высокоскоростных систем
  • Использование в серверах, рабочих станциях и других вычислительных устройствах

Применение в устройствах:

  • Компьютеры
  • Серверы
  • Мобильные устройства
  • Телекоммуникационные системы
  • Автомобильные системы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП