Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN
;
AS4C8M16D1-5BIN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Alliance Memory, Inc.
  • Артикул:
    AS4C8M16D1-5BIN
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGAВсе характеристики

Минимальная цена AS4C8M16D1-5BIN при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AS4C8M16D1-5BIN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN — микросхема DRAM (Dynamic Random Access Memory) производства Alliance Memory, Inc. Объем памяти составляет 128 Мбит, что эквивалентно 16 МБ.

  • Тип памяти: Параллельная DRAM.
  • Интерфейс: 60 TFBGA (Thermally Enhanced Fine Pitch Ball Grid Array).
  • Пиковая частота работы: 533 МГц.
  • Шина данных: 16 бит.
  • Напряжение питания: 2,5 В.

Плюсы:

  • Высокая плотность хранения информации при относительно небольшом размере.
  • Эффективное энергопотребление.
  • Поддержка высоких частот работы.

Минусы:

  • Уязвимость к помехам из-за динамического характера работы.
  • Необходимость регулярного обновления состояния памяти.
  • Высокие требования к условиям работы (температура, напряжение).

Общее назначение: Эта микросхема предназначена для использования в различных цифровых устройствах, где требуется высокая скорость доступа к данным и высокая плотность памяти. Она может быть использована в:

  • Компьютерах и ноутбуках для оперативной памяти.
  • Сетевом оборудовании.
  • Столах программирования.
  • Мобильных устройствах.
Выбрано: Показать

Характеристики AS4C8M16D1-5BIN

Техническая документация

AS4C8M16D1-5BIN.pdf
pdf. 0 kb
  • 189 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    574 ₽
  • 10
    536 ₽
  • 25
    520 ₽
  • 50
    508 ₽
  • 240
    482 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Alliance Memory, Inc.
  • Артикул:
    AS4C8M16D1-5BIN
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGAВсе характеристики

Минимальная цена AS4C8M16D1-5BIN при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AS4C8M16D1-5BIN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN — микросхема DRAM (Dynamic Random Access Memory) производства Alliance Memory, Inc. Объем памяти составляет 128 Мбит, что эквивалентно 16 МБ.

  • Тип памяти: Параллельная DRAM.
  • Интерфейс: 60 TFBGA (Thermally Enhanced Fine Pitch Ball Grid Array).
  • Пиковая частота работы: 533 МГц.
  • Шина данных: 16 бит.
  • Напряжение питания: 2,5 В.

Плюсы:

  • Высокая плотность хранения информации при относительно небольшом размере.
  • Эффективное энергопотребление.
  • Поддержка высоких частот работы.

Минусы:

  • Уязвимость к помехам из-за динамического характера работы.
  • Необходимость регулярного обновления состояния памяти.
  • Высокие требования к условиям работы (температура, напряжение).

Общее назначение: Эта микросхема предназначена для использования в различных цифровых устройствах, где требуется высокая скорость доступа к данным и высокая плотность памяти. Она может быть использована в:

  • Компьютерах и ноутбуках для оперативной памяти.
  • Сетевом оборудовании.
  • Столах программирования.
  • Мобильных устройствах.
Выбрано: Показать

Характеристики AS4C8M16D1-5BIN

Техническая документация

AS4C8M16D1-5BIN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории