AS4C8M16SA-6BINTR модуль памяти, SDRAM, 128Мбит, Parallel, 166МГц, 3В ~ 3.6В

AS4C8M16SA-6BINTR — микросхема от компании Alliance Memory, Inc., представляющая собой DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 128 Мбит. Она выполнена в формате 54TFBGA (54-Term Fine Pitch Ball Grid Array).

• Объем памяти: 128 Мбит (16 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 54TFBGA (54-Term Fine Pitch Ball Grid Array)
• Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Плюсы:

• Высокая плотность данных за счет параллельного интерфейса
• Экономичное использование площади печатной платы благодаря компактному форм-фактору 54TFBGA
• Устойчивость к ошибкам благодаря системе коррекции ошибок (ECC)

Минусы:

• Необходимо постоянное обновление заряда для сохранения данных, что требует дополнительной энергии
• Скорость работы зависит от времени доступа к ячейкам памяти

Общее назначение: Эта микросхема используется в различных устройствах, где требуется высокий объем оперативной памяти с возможностью коррекции ошибок. Это может включать:

• Компьютеры и серверы для повышения производительности
• Программное обеспечение для баз данных и аналитики
• Производственные системы и промышленные контроллеры