AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN от Alliance Memory, Inc.

• Тип микросхемы: DRAM (Память с разрядным устройством)
• Объем памяти: 128 Мбит (16 МБ)
• Форм-фактор: 54-пиновый TSOP II

Основные параметры:

• Напряжение питания: 3.3 В
• Частота работы: до 100 МГц
• Интерфейс: параллельный

Плюсы:

• Высокая плотность памяти для своего размера
• Надежность благодаря технологии производства от Alliance Memory, Inc.
• Доступность и широкое применение

Минусы:

• Скорость работы ниже современных DRAM моделей
• Требует больше энергии по сравнению с современными низкопотребительскими моделями

Общее назначение:

• Короткосрочная память для процессоров и других микропроцессорных систем
• Используется в серверах, сетевых устройствах и других системах с высокими требованиями к производительности

Применяется в:

• Серверах
• Сетевых устройствах
• Мобильных системах
• Процессорах и других микропроцессорных системах