Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Интегральные микросхемы
Модули памяти
AS4C8M16SA-6TIN
  • В избранное
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN микросхема памяти, SDRAM, 128Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В

  • В избранное
AS4C8M16SA-6TIN
AS4C8M16SA-6TIN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Alliance Memory, Inc.
  • Артикул:
    AS4C8M16SA-6TIN
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP IIВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 1 238 ₽/шт, купить AS4C8M16SA-6TIN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 9002 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    1 445 ₽
  • 10
    1 344 ₽
  • 25
    1 303 ₽
  • 50
    1 272 ₽
  • 108
    1 238 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    DRAM
  • Технология
    SDRAM
  • Объем памяти
    128Mb (8M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Clock Frequency
    166 MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page
    12ns
  • Время доступа
    5 ns
  • Напряжение питания
    3V ~ 3.6V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса
    54-TSOP II
  • Base Product Number
    AS4C8M16

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

AS4C8M16SA-6TIN ALLIANCE MEMORY Микросхема:

  • IC DRAM 128МБит (16МБ)
  • Пакетная шина (Parallel Bus): 54TSOP II

Основные параметры:

  • Тип памяти: DRAM (Динамическая память)
  • Объем памяти: 128МБит или 16МБ
  • Количество битов на строку: 8
  • Пакетный вход/выход: 54 линии TSOP II

Плюсы:

  • Высокая плотность интеграции
  • Низкая стоимость за гигабайт
  • Удобство параллельного доступа к данным

Минусы:

  • Неустойчивость к перезаписи без периодической зарядки
  • Высокая энергопотребляемость по сравнению с стационарной памятью
  • Требуется более сложное управление для поддержания состояния ячеек памяти

Общее назначение:

  • Серверные системы
  • Большие многопользовательские игры
  • Программное обеспечение для обработки больших объемов данных

В каких устройствах применяется:

  • Серверы и рабочие станции
  • Профессиональные вычислительные системы
  • Системы хранения данных
  • Оборудование для обработки больших объемов информации

Альтернативные маркировки

  • 1450-1267
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП