AS6C8016-55TIN микросхема памяти, SRAM, 8Мбит, Parallel, 55нс, 2.7В ~ 5.5В

Маркировка AS6C8016-55TIN от производителя Alliance Memory описывает следующую микросхему:

• Тип: SRAM (Синхронная Память Регистрового Типа)
• Объем памяти: 8 Мбит (1 МБ)
• Размер пакета: 48 TSOP (Термосопрессованный Обсадной Пакет)
• Тип интерфейса: Параллельный

Основные параметры:

• Напряжение питания: 3.3 В
• Частота работы: до 100 МГц
• Тип данных: 8 бит
• Тип шины: Параллельная

Плюсы:

• Высокая скорость работы: до 100 МГц
• Устойчивость к помехам: синхронное устройство
• Простота использования: параллельный интерфейс
• Надежность: надежность синхронных устройств

Минусы:

• Высокое энергопотребление: по сравнению с асинхронными устройствами
• Ограниченная емкость: 8 Мбит

Общее назначение:

• Кэш память: для кэширования данных в процессорах и графических адаптерах
• Хранение конфигурационной информации: для сетевых устройств и других систем
• Буферизация данных: для обработки больших объемов данных

В каких устройствах применяется:

• Процессоры: для кэша
• Графические адаптеры: для хранения данных экрана
• Сетевые устройства: для хранения конфигурационной информации
• Телекоммуникационные системы: для временного хранения данных
• Электронные системы управления: для хранения конфигурационной информации и временных данных