Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AUIRFN8401TR

AUIRFN8401TR

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена AUIRFN8401TR при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AUIRFN8401TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AUIRFN8401TR

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2170 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.2W (Ta), 63W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена AUIRFN8401TR при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AUIRFN8401TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AUIRFN8401TR

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2170 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.2W (Ta), 63W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN