Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AUIRLR2905ZTRL

AUIRLR2905ZTRL транзистор полевой, N-канал, 55В, 42А, 110Вт

AUIRLR2905ZTRL
AUIRLR2905ZTRL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 230 ₽/шт, купить AUIRLR2905ZTRL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5mOhm @ 36A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35 nC @ 5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1570 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    110W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    AUIRLR2905

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-Channel). Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 55В
  • Номинальный ток нагрузки (ID(on)): 42А
  • Контактная площадка: DPAK (Dual Plastic Axial Package)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока дrain-to-source при отключенном транзисторе (RDS(on))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Ток дrain-to-source при отключенном транзисторе (RDS(on)) может быть достаточно высоким для некоторых применений

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с высокой скоростью переключения
  • Подходит для применения в системах управления двигателями, инверторах, преобразователях напряжения, электроприводах и других приборах

Применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Приборах для управления двигателем
  • Системах преобразования и регулирования напряжения
  • Электроприводах и системах автоматизации