Вход/Регистрация
1N5620Диод: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
BAS16LT1G
BAS16LT1G
- Производитель:ON SEMICONDUCTOR
- Артикул:BAS16LT1G
- Описание:Транзистор: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3Все характеристики
Минимальная цена BAS16LT1G при покупке от 1 шт 14.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS16LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 3100 штв наличии
- 7718 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 114 ₽
- 109.5 ₽
- 507.2 ₽
- 2505.1 ₽
- 10003.25 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:ON SEMICONDUCTOR
- Артикул:BAS16LT1G
- Описание:Транзистор: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3Все характеристики
Минимальная цена BAS16LT1G при покупке от 1 шт 14.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS16LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BAS16LT1G
BAS16LT1G onsemi Транзистор: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
- Основные параметры:
- Напряжение срабатывания: 100В
- Ток срабатывания: 200мА
- Форма корпуса: SOT23-3
- Плюсы:
- Компактный размер корпуса
- Высокая надежность
- Долгий срок службы
- Устойчивость к перенапряжению
- Минусы:
- Низкий ток срабатывания (200мА)
- Не подходит для высокотоковых приложений
- Общее назначение:
- Защита электронных схем от перенапряжений
- Обеспечение безопасного отключения компонентов
- Изоляция высоковольтных цепей
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы
- Электроприборы
- Радиоэлектронное оборудование
- Системы управления силовыми сетями
Выбрано: Показать
Характеристики BAS16LT1G
Техническая документация
BAS16LT1G.pdf pdf. 0 kb