BB505CES-TL-E

BB505CES-TL-E Renesas Electronics Corporation Транзистор: RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• Рабочая частота до 1 GHz
• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение блокировки (V_GS(th)): от -2 до -4 В
• Предел напряжения между полюсами (V_DS): 50 В
• Максимальное напряжение при разряде (V_DS(on)): 3.6 В
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Хорошая управляемость
• Низкое сопротивление в режиме включения
• Высокая надежность и долговечность
• Минусы:
• Высокие требования к проектированию и использованию
• Нуждается в защите от обратного напряжения
• Высокие потери при работе в режиме перехода
• Общее назначение:
• Использование в радиоэлектронных устройствах
• Управление мощными нагрузками
• Фильтрация и модуляция сигналов
• Переключение высокочастотных сигналов
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники и передатчики
• Мобильные телефоны и смартфоны
• Беспроводные устройства и системы
• Автомобильные системы навигации и связи
• Медицинское оборудование