Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
BC846BPDW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G
;
BC846BPDW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BC846BPDW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRAN NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70Все характеристики

Минимальная цена BC846BPDW1T1G при покупке от 1 шт 29.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BC846BPDW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRAN NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SC88/SC70
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Малый ток
    • Компактные размеры пакета
  • Минусы:
    • Низкий ток
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности
    • Изменение направления тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Микроконтроллеры
    • Автомобильные системы
    • Системы управления светильниками
    • Программируемые логические контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики BC846BPDW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    65V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    BC846

Техническая документация

 BC846BPDW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    в наличии
  • 5019 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29 ₽
  • 50
    13.3 ₽
  • 500
    7.8 ₽
  • 3000
    5.5 ₽
  • 9000
    4.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BC846BPDW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRAN NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70Все характеристики

Минимальная цена BC846BPDW1T1G при покупке от 1 шт 29.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BC846BPDW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRAN NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Пакет: SC88/SC70
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Малый ток
    • Компактные размеры пакета
  • Минусы:
    • Низкий ток
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Увеличение мощности
    • Изменение направления тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Микроконтроллеры
    • Автомобильные системы
    • Системы управления светильниками
    • Программируемые логические контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики BC846BPDW1T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    65V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    BC846

Техническая документация

 BC846BPDW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SN75468DТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    265Кешбэк 39 баллов
    ULN2004AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    232Кешбэк 34 балла
    HN4B01JE(TE85L,F)Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
    61Кешбэк 9 баллов
    BC858CDXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
    43Кешбэк 6 баллов
    SBC846BPDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
    47Кешбэк 7 баллов
    BC807DS,115Транзистор: TRANS 2PNP 45V 0.5A 6TSOP
    51Кешбэк 7 баллов
    ULN2003ANSRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    132Кешбэк 19 баллов
    QS5W2TRТранзистор: TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
    182Кешбэк 27 баллов
    MMPQ3904Транзистор: TRANS 4NPN 40V 0.2A 16SOIC
    495Кешбэк 74 балла
    NSVT3946DXV6T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
    89Кешбэк 13 баллов
    BC846S,125Транзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    EMT1T2RТранзистор: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
    79Кешбэк 11 баллов
    BCM847BV,115Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666
    119Кешбэк 17 баллов
    PBSS5130PAP,115Транзистор
    202Кешбэк 30 баллов
    PMP5501Y,115Транзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    124Кешбэк 18 баллов
    CPH6532-TL-EТранзистор: TRANS 2NPN 50V 1A 6CPH
    33.3Кешбэк 4 балла
    FMY1AT148Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT
    115Кешбэк 17 баллов
    MMDT3904-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    74Кешбэк 11 баллов
    MMDT4146-7Транзистор: TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    BC856S,115Транзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    UMX3NTRТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
    69Кешбэк 10 баллов
    PMBTA42DS,125Транзистор: TRANS 2NPN 300V 0.1A 6TSOP
    91Кешбэк 13 баллов
    NST45010MW6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    98Кешбэк 14 баллов
    PBSS2515YPN,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 15V 0.5A 6TSSOP
    85Кешбэк 12 баллов
    BC848CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6
    36Кешбэк 5 баллов
    MMDT4126-7Транзистор: TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
    23Кешбэк 3 балла
    NSV60100DMTWTBGТранзистор: DUAL TRANSISTOR PNP
    113Кешбэк 16 баллов
    QS5W1TRТранзистор: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
    204Кешбэк 30 баллов
    PBSS4260PANSXТранзистор
    65Кешбэк 9 баллов
    LBN150B01-7TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП