Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
BCR08PNH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1
;
BCR08PNH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR08PNH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена BCR08PNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR08PNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCR08PNH6327XTSA1

Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN/PNP с предварительным смещением (Pre-biased Transistor). Это означает, что в одном корпусе находятся два транзистора (один NPN и один PNP) с интегрированными резисторами смещения на базе.
  • Корпус: SOT-363 (также известен как SC-70-6, SOT323-6). Это очень маленький поверхностный монтажный корпус с 6 выводами.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Часто используемые параметры (могут варьироваться в зависимости от конкретной модификации, но типичны для данного типа):
    • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно в диапазоне 70-300.
    • Максимальный ток коллектора (IC): Обычно до 100 мА.
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): Обычно до 50 В.
    • Номинальное сопротивление резисторов смещения (R1, R2): Варьируется, типично R1=10 кОм, R2=10 кОм.

Плюсы:

  • Экономия места на печатной плате: Два транзистора и четыре резистора в одном компактном корпусе.
  • Сокращение количества компонентов: Упрощает сборку и уменьшает вероятность ошибок.
  • Снижение стоимости: Уменьшение затрат на компоненты и монтаж.
  • Упрощение схемы: Не требуется внешних резисторов смещения.
  • Улучшенная согласованность параметров: Транзисторы в одном корпусе имеют более близкие характеристики.
  • Идеально подходит для маломощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не подходит для высоковольтных или сильноточных применений.
  • Фиксированное смещение: Резисторы смещения интегрированы, что ограничивает гибкость настройки.
  • Ограниченная доступность различных комбинаций резисторов: Выбор ограничен готовыми решениями производителя.
  • Сложность замены: При выходе из строя одного транзистора приходится менять весь компонент.

Общее назначение:

BCR08PNH6327XTSA1 (как и другие транзисторы с предварительным смещением NPN/PNP в SOT363) предназначен для использования в качестве коммутаторов или усилителей в маломощных цепях. Интегрированные резисторы смещения упрощают проектирование и уменьшают количество необходимых внешних компонентов.

Применяется в следующих устройствах:

  • Мобильные телефоны и планшеты: Управление подсветкой, переключение сигналов, интерфейсы.
  • Портативная электроника: MP3-плееры, цифровые камеры, носимые устройства.
  • Бытовая электроника: Пульты дистанционного управления, маломощные схемы управления.
  • Автомобильная электроника: Небольшие управляющие цепи и индикаторы.
  • Компьютерная периферия: Мыши, клавиатуры, накопители.
  • Светодиодное освещение: Драйверы для маломощных светодиодов.
  • Интерфейсные схемы: Буферы, логические преобразователи уровня.
  • Усилители низкой частоты.
Выбрано: Показать

Характеристики BCR08PNH6327XTSA1

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BCR08

Техническая документация

 BCR08PNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 85270 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    17 ₽
  • 6000
    9.6 ₽
  • 24000
    9.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR08PNH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена BCR08PNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR08PNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCR08PNH6327XTSA1

Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN/PNP с предварительным смещением (Pre-biased Transistor). Это означает, что в одном корпусе находятся два транзистора (один NPN и один PNP) с интегрированными резисторами смещения на базе.
  • Корпус: SOT-363 (также известен как SC-70-6, SOT323-6). Это очень маленький поверхностный монтажный корпус с 6 выводами.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Часто используемые параметры (могут варьироваться в зависимости от конкретной модификации, но типичны для данного типа):
    • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно в диапазоне 70-300.
    • Максимальный ток коллектора (IC): Обычно до 100 мА.
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): Обычно до 50 В.
    • Номинальное сопротивление резисторов смещения (R1, R2): Варьируется, типично R1=10 кОм, R2=10 кОм.

Плюсы:

  • Экономия места на печатной плате: Два транзистора и четыре резистора в одном компактном корпусе.
  • Сокращение количества компонентов: Упрощает сборку и уменьшает вероятность ошибок.
  • Снижение стоимости: Уменьшение затрат на компоненты и монтаж.
  • Упрощение схемы: Не требуется внешних резисторов смещения.
  • Улучшенная согласованность параметров: Транзисторы в одном корпусе имеют более близкие характеристики.
  • Идеально подходит для маломощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не подходит для высоковольтных или сильноточных применений.
  • Фиксированное смещение: Резисторы смещения интегрированы, что ограничивает гибкость настройки.
  • Ограниченная доступность различных комбинаций резисторов: Выбор ограничен готовыми решениями производителя.
  • Сложность замены: При выходе из строя одного транзистора приходится менять весь компонент.

Общее назначение:

BCR08PNH6327XTSA1 (как и другие транзисторы с предварительным смещением NPN/PNP в SOT363) предназначен для использования в качестве коммутаторов или усилителей в маломощных цепях. Интегрированные резисторы смещения упрощают проектирование и уменьшают количество необходимых внешних компонентов.

Применяется в следующих устройствах:

  • Мобильные телефоны и планшеты: Управление подсветкой, переключение сигналов, интерфейсы.
  • Портативная электроника: MP3-плееры, цифровые камеры, носимые устройства.
  • Бытовая электроника: Пульты дистанционного управления, маломощные схемы управления.
  • Автомобильная электроника: Небольшие управляющие цепи и индикаторы.
  • Компьютерная периферия: Мыши, клавиатуры, накопители.
  • Светодиодное освещение: Драйверы для маломощных светодиодов.
  • Интерфейсные схемы: Буферы, логические преобразователи уровня.
  • Усилители низкой частоты.
Выбрано: Показать

Характеристики BCR08PNH6327XTSA1

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BCR08

Техническая документация

 BCR08PNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NHUMH11FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB13FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH11XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB10XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB13XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB9XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB11XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH10XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH2XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH9XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSBC114EPDXVT1GТранзистор: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
    14.8Кешбэк 2 балла
    NHUMH1XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    RN4987FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    NHUMD3XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVMUN5211DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NHUMD2FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVMUN531335DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NHUMB2FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    BCR22PNТранзистор: DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA
    20Кешбэк 3 балла
    NSBC143EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NHUMD9FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    82Кешбэк 12 баллов
    RN1907FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN4903,LF(CTТранзистор: PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2
    43Кешбэк 6 баллов
    PUMH10ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NHUMD12XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    65Кешбэк 9 баллов
    UMH4NFHATNТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    87Кешбэк 13 баллов
    RN2708,LFТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2909,LF(CTТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1908,LF(CTТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
    43Кешбэк 6 баллов
    RN2704,LFТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП