Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
BCR08PNH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1

BCR08PNH6327XTSA1
;
BCR08PNH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR08PNH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена BCR08PNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR08PNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCR08PNH6327XTSA1

Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN/PNP с предварительным смещением (Pre-biased Transistor). Это означает, что в одном корпусе находятся два транзистора (один NPN и один PNP) с интегрированными резисторами смещения на базе.
  • Корпус: SOT-363 (также известен как SC-70-6, SOT323-6). Это очень маленький поверхностный монтажный корпус с 6 выводами.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Часто используемые параметры (могут варьироваться в зависимости от конкретной модификации, но типичны для данного типа):
    • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно в диапазоне 70-300.
    • Максимальный ток коллектора (IC): Обычно до 100 мА.
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): Обычно до 50 В.
    • Номинальное сопротивление резисторов смещения (R1, R2): Варьируется, типично R1=10 кОм, R2=10 кОм.

Плюсы:

  • Экономия места на печатной плате: Два транзистора и четыре резистора в одном компактном корпусе.
  • Сокращение количества компонентов: Упрощает сборку и уменьшает вероятность ошибок.
  • Снижение стоимости: Уменьшение затрат на компоненты и монтаж.
  • Упрощение схемы: Не требуется внешних резисторов смещения.
  • Улучшенная согласованность параметров: Транзисторы в одном корпусе имеют более близкие характеристики.
  • Идеально подходит для маломощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не подходит для высоковольтных или сильноточных применений.
  • Фиксированное смещение: Резисторы смещения интегрированы, что ограничивает гибкость настройки.
  • Ограниченная доступность различных комбинаций резисторов: Выбор ограничен готовыми решениями производителя.
  • Сложность замены: При выходе из строя одного транзистора приходится менять весь компонент.

Общее назначение:

BCR08PNH6327XTSA1 (как и другие транзисторы с предварительным смещением NPN/PNP в SOT363) предназначен для использования в качестве коммутаторов или усилителей в маломощных цепях. Интегрированные резисторы смещения упрощают проектирование и уменьшают количество необходимых внешних компонентов.

Применяется в следующих устройствах:

  • Мобильные телефоны и планшеты: Управление подсветкой, переключение сигналов, интерфейсы.
  • Портативная электроника: MP3-плееры, цифровые камеры, носимые устройства.
  • Бытовая электроника: Пульты дистанционного управления, маломощные схемы управления.
  • Автомобильная электроника: Небольшие управляющие цепи и индикаторы.
  • Компьютерная периферия: Мыши, клавиатуры, накопители.
  • Светодиодное освещение: Драйверы для маломощных светодиодов.
  • Интерфейсные схемы: Буферы, логические преобразователи уровня.
  • Усилители низкой частоты.
Выбрано: Показать

Характеристики BCR08PNH6327XTSA1

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BCR08

Техническая документация

 BCR08PNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 85270 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    17 ₽
  • 6000
    9.6 ₽
  • 24000
    9.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR08PNH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Все характеристики

Минимальная цена BCR08PNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR08PNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BCR08PNH6327XTSA1

Основные параметры:

  • Тип транзистора: NPN/PNP с предварительным смещением (Pre-biased Transistor). Это означает, что в одном корпусе находятся два транзистора (один NPN и один PNP) с интегрированными резисторами смещения на базе.
  • Корпус: SOT-363 (также известен как SC-70-6, SOT323-6). Это очень маленький поверхностный монтажный корпус с 6 выводами.
  • Производитель: Infineon Technologies.
  • Часто используемые параметры (могут варьироваться в зависимости от конкретной модификации, но типичны для данного типа):
    • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно в диапазоне 70-300.
    • Максимальный ток коллектора (IC): Обычно до 100 мА.
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): Обычно до 50 В.
    • Номинальное сопротивление резисторов смещения (R1, R2): Варьируется, типично R1=10 кОм, R2=10 кОм.

Плюсы:

  • Экономия места на печатной плате: Два транзистора и четыре резистора в одном компактном корпусе.
  • Сокращение количества компонентов: Упрощает сборку и уменьшает вероятность ошибок.
  • Снижение стоимости: Уменьшение затрат на компоненты и монтаж.
  • Упрощение схемы: Не требуется внешних резисторов смещения.
  • Улучшенная согласованность параметров: Транзисторы в одном корпусе имеют более близкие характеристики.
  • Идеально подходит для маломощных приложений.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Не подходит для высоковольтных или сильноточных применений.
  • Фиксированное смещение: Резисторы смещения интегрированы, что ограничивает гибкость настройки.
  • Ограниченная доступность различных комбинаций резисторов: Выбор ограничен готовыми решениями производителя.
  • Сложность замены: При выходе из строя одного транзистора приходится менять весь компонент.

Общее назначение:

BCR08PNH6327XTSA1 (как и другие транзисторы с предварительным смещением NPN/PNP в SOT363) предназначен для использования в качестве коммутаторов или усилителей в маломощных цепях. Интегрированные резисторы смещения упрощают проектирование и уменьшают количество необходимых внешних компонентов.

Применяется в следующих устройствах:

  • Мобильные телефоны и планшеты: Управление подсветкой, переключение сигналов, интерфейсы.
  • Портативная электроника: MP3-плееры, цифровые камеры, носимые устройства.
  • Бытовая электроника: Пульты дистанционного управления, маломощные схемы управления.
  • Автомобильная электроника: Небольшие управляющие цепи и индикаторы.
  • Компьютерная периферия: Мыши, клавиатуры, накопители.
  • Светодиодное освещение: Драйверы для маломощных светодиодов.
  • Интерфейсные схемы: Буферы, логические преобразователи уровня.
  • Усилители низкой частоты.
Выбрано: Показать

Характеристики BCR08PNH6327XTSA1

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Трансформация частоты
    170MHz
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Base Product Number
    BCR08

Техническая документация

 BCR08PNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCR22PNТранзистор: DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA
    19.8Кешбэк 2 балла
    BCR08PNDIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
    35Кешбэк 5 баллов
    BCR22PN-AQТранзистор: DI Trst. 60V, 100mA
    16.2Кешбэк 2 балла
    BCR183SТранзистор: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BCR08PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    78Кешбэк 11 баллов
    NSBC143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSBC114TPDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    SMUN5111T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSVMUN5332DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    1.32Кешбэк 1 балл
    NSBC143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    SMUN5211T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC114EPDXVT1GТранзистор: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSVMUN5211DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSVMUN531335DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC143EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    NSBA143ZDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    93Кешбэк 13 баллов
    NSVIMD10AMT1GТранзистор: SURF MT BIASED RES XSTR
    85Кешбэк 12 баллов
    NSVMUN531335DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC143EPDXV6T1GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    87Кешбэк 13 баллов
    PRMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    20.4Кешбэк 3 балла
    PRMD10ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    20.4Кешбэк 3 балла
    PRMD13ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    50Кешбэк 7 баллов
    PRMH2ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    50Кешбэк 7 баллов
    NHUMH9FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMD13FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    NHUMD3FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH2FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB10FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП