BCR162E6327HTSA1 транзистор, PNP - Pre-Biased, 50В, 100мА, 200мВт

BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

• Основные параметры:
  • Тип: PNP (полярный)
  • Мощность: 200 мВт
  • Количество выводов: 3 (SOT23-3)
  • Рабочий диапазон температур: от -40°C до +150°C
  • Предел напряжения коллектора-;base: 80 В
  • Предел напряжения базы-коллектора: -6 V
  • Предел напряжения эмиттера-коллектора: 80 В
• Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Стабильная работа при высоких температурах
  • Компактный размер (SOT23-3)
  • Низкий сопротивление базы-коллектора
• Минусы:
  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
  • Требуется точное подключение для предварительного усилителя
• Общее назначение:
  • Использование в предварительных усилителях (prebias) для активных динамиков
  • Применение в электронных цепях с высокими требованиями к мощности
  • Работа в системах с высоким уровнем шума
• В каких устройствах применяется:
  • Аудиосистемы
  • Системы звукового оборудования
  • Электронные игры
  • Автомобильные аудиосистемы