BCR169E6327HTSA1 транзистор, PNP - Pre-Biased, 100 мА, 50 В, 4.7 кОм

BCR169E6327HTSA1 Infineon Technologies Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

• Основные параметры:
• Тип: PNP (преднапряженный)
• Мощность: 200 мВт
• Количество выводов: 3 (SOT23-3)
• Напряжение базо-эмиттера: V_BE(on) = 0,5...0,7 В
• Коэффициент усиления: h_FE ≥ 200
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Устойчивость к перегреву
• Комpakтные размеры благодаря SOT23-3 оболочке
• Высокий коэффициент усиления
• Минусы:
• Требует дополнительного предварительного напряжения для работы
• Могут быть ограничены температурные условия эксплуатации
• Общее назначение:
• Используется в схемах предварительного усиления сигнала
• Служит для создания предварительного тока в цепях
• Применяется в цифровых и аналоговых схемах
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники
• Аудиосистемы
• Цифровые устройства
• Автомобильные системы
• Телекоммуникационное оборудование