Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS7G2933S-150,112
BLS7G2933S-150,112

BLS7G2933S-150,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G2933S-150,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221Все характеристики

Минимальная цена BLS7G2933S-150,112 при покупке от 1 шт 92531.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G2933S-150,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G2933S-150,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.9GHz ~ 3.3GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-922-1
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLS7
Техническая документация
 BLS7G2933S-150,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 32 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    92 531 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G2933S-150,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221Все характеристики

Минимальная цена BLS7G2933S-150,112 при покупке от 1 шт 92531.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G2933S-150,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G2933S-150,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.9GHz ~ 3.3GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-922-1
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLS7
Техническая документация
 BLS7G2933S-150,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMRF1306HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    34 690Кешбэк 5 203 балла
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    29 525Кешбэк 4 428 баллов
    BLC8G27LS-100AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    11 503Кешбэк 1 725 баллов
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    94 902Кешбэк 14 235 баллов
    BLF882UТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A
    31 838Кешбэк 4 775 баллов
    BLC9G20LS-120VYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
    11 905Кешбэк 1 785 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 200Кешбэк 630 баллов
    STAC2942BWТранзистор: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B
    27 405Кешбэк 4 110 баллов
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    47 443Кешбэк 7 116 баллов
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    9 526Кешбэк 1 428 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    17 561Кешбэк 2 634 балла
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    54Кешбэк 8 баллов
    MMRF1019NR4Транзистор: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    14 239Кешбэк 2 135 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    BLS6G2731S-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221
    89 498Кешбэк 13 424 балла
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    15 690Кешбэк 2 353 балла
    BLF7G20LS-200,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    17 723Кешбэк 2 658 баллов
    NPT1004DТранзистор: HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC
    14 578Кешбэк 2 186 баллов
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    22 710Кешбэк 3 406 баллов
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    24 348Кешбэк 3 652 балла
    PD54008L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    1 617Кешбэк 242 балла
    ARF460BGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    10 930Кешбэк 1 639 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    58 293Кешбэк 8 743 балла
    MRF8S23120HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    17 069Кешбэк 2 560 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 697Кешбэк 1 304 балла
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    57 257Кешбэк 8 588 баллов
    BLF7G24L-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
    13 745Кешбэк 2 061 балл
    MRF151AТранзистор: FET RF N-CH 50V 150W P-244
    35 079Кешбэк 5 261 балл
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    196 199Кешбэк 29 429 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП