MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G транзистор, N-канал JFET, 25В, 30мА

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
MMBFJ309LT1G
Описание:
Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ309LT1G при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ309LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G onsemi Транзистор:

RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

Основные параметры:

V_GS(th) (V): 4.0 V
I_D(on) (A): 500 mA
R_DS(on) (mΩ): 16.8 mΩ @ 5 V, 25°C
T_Case(max) (°C): 150°C
Q_g (nC): 15 nC

Плюсы:

Низкий напряжения включения (V_GS(th)): Основной фактор для использования в широком диапазоне приложений.
Малый ток дrain-on: Энергетически эффективный.
Небольшой размер (SOT23-3): Удобен для монтажа на печатных платах.
Высокая температура работы: Максимальная температура корпуса до 150°C обеспечивает надежную работу в жарких условиях.

Минусы:

Малый ток дrain-on: Может ограничивать его применение в высокотоковых приложениях.
Ток дrain-on зависит от напряжения: Поведение может быть нестабильным при изменении напряжения питания.

Общее назначение:

Блокировки питания: Используется для регулирования напряжения и управления током.
Измерительные приборы: Подходит для измерения низкого тока.
Электронные устройства: Входит в состав различных электронных схем, где требуется управление током.

Применяется в: