Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Популярные
Количество
BF1202WR,135

NXP Semiconductors

BF1202WR,135
ВЧ полевой транзистор: частота 400 МГц, тестовое напряжение 5 В, нормальное напряжение 10 В, корпус SC-82 А, SOT-343, усиление 30.5dB

1980 уп. - 3-6 недель

55 588 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 52 ₽ за ед.

BF1201WR,135

NXP Semiconductors

BF1201WR,135
ВЧ полевой транзистор: частота 400 МГц, тестовое напряжение 5 В, нормальное напряжение 10 В, корпус SC-82 А, SOT-343, усиление 29dB, уровень шума 1dB

1144 уп. - 3-6 недель

56 225 ₽ / уп.

865 шт. в упаковке • 65 ₽ за ед.

MMBFJ309LT1G

onsemi

MMBFJ309LT1G
ВЧ полевой транзистор: нормальное напряжение 25 В, корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, номинальный ток 30 мА

377722 шт - 3-6 недель

43 ₽

1 шт — 43 ₽

500 шт — 41 ₽

NE3510M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3510M04-T2-A
ВЧ полевой транзистор: частота 4 ГГц, тестовое напряжение 2 В, нормальное напряжение 4 В, корпус SOT-343 Ф, тип транзистора HFET, усиление 16dB

1109 уп. - 3-6 недель

55 596 ₽ / уп.

226 шт. в упаковке • 246 ₽ за ед.

BF1201WR,115

NXP Semiconductors

BF1201WR,115
ВЧ полевой транзистор: частота 400 МГц, тестовое напряжение 5 В, нормальное напряжение 10 В, корпус SC-82 А, SOT-343, усиление 29dB, уровень шума 1dB

115 уп. - 3-6 недель

55 588 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 52 ₽ за ед.

2SK3557-6-TB-E

onsemi

2SK3557-6-TB-E
ВЧ полевой транзистор: частота 1 кГц, тестовое напряжение 5 В, мощность передачи 200 мВт, нормальное напряжение 15 В, корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

69140 шт - 3-6 недель

141 ₽

1 шт — 141 ₽

50 шт — 63 ₽

3SK264-5-TG-E

onsemi

3SK264-5-TG-E
Транзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO

67 уп. - 3-6 недель

54 492 ₽ / уп.

956 шт. в упаковке • 57 ₽ за ед.

BF1100WR,115

NXP Semiconductors

BF1100WR,115
ВЧ полевой транзистор: частота 800 МГц, тестовое напряжение 9 В, нормальное напряжение 14 В, корпус SC-82 А, SOT-343, номинальный ток 30 мА

59 уп. - 3-6 недель

55 588 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 52 ₽ за ед.

BLP10H610Z

Ampleon USA Inc.

BLP10H610Z
ВЧ полевой транзистор: частота 860 МГц, тестовое напряжение 50 В, мощность передачи 10 Вт, нормальное напряжение 104 В, корпус 12-HVSON (6x5)

123 уп. - 3-6 недель

2 370 000 ₽ / уп.

500 шт. в упаковке • 4740 ₽ за ед.

2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba

2SK209-GR(TE85L,F)
ВЧ полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 13 пФ @ 10 В, ток стока (Id) 10 мА (Ta), корпус SC-59, поверхностный монтаж (SMD)

48190 шт - 3-6 недель

145 ₽

1 шт — 145 ₽

100 шт — 58 ₽

2SK3737-5-TL-E

onsemi

2SK3737-5-TL-E
ВЧ полевой транзистор: тестовое напряжение 10 В, нормальное напряжение 15 В, корпус SC-70, SOT-323, тип транзистора N-канальный, усиление 35dB

211 уп. - 3-6 недель

55 596 ₽ / уп.

226 шт. в упаковке • 246 ₽ за ед.

BLP7G22-05Z

Ampleon USA Inc.

BLP7G22-05Z
ВЧ полевой транзистор: частота 2,14 ГГц, тестовое напряжение 28 В, мощность передачи 1 Вт, нормальное напряжение 65 В, корпус 12-HVSON (6x4)

1052 уп. - 3-6 недель

54 986 ₽ / уп.

38 шт. в упаковке • 1447 ₽ за ед.

BF244C

Fairchild Semiconductor

BF244C
ВЧ полевой транзистор: частота 100 МГц, тестовое напряжение 15 В, нормальное напряжение 30 В, корпус TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), уровень шума 1.5dB

57 уп. - 3-6 недель

56 100 ₽ / уп.

550 шт. в упаковке • 102 ₽ за ед.

NE55410GR-T3-AZ

Renesas Electronics Corporation

NE55410GR-T3-AZ
ВЧ полевой транзистор: частота 2,14 ГГц, тестовое напряжение 28 В, нормальное напряжение 65 В, корпус 16-HTSSOP, тип транзистора LDMOS

605 уп. - 3-6 недель

56 049 ₽ / уп.

51 шт. в упаковке • 1099 ₽ за ед.

MMBFJ310LT1G

onsemi

MMBFJ310LT1G
ВЧ полевой транзистор: тестовое напряжение 10 В, нормальное напряжение 25 В, корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, усиление 12dB, номинальный ток 60 мА

29910 шт - 3-6 недель

43 ₽

1 шт — 43 ₽

25 шт — 26 ₽

NE3503M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3503M04-T2-A
ВЧ полевой транзистор: частота 12 ГГц, тестовое напряжение 2 В, нормальное напряжение 4 В, корпус SOT-343 Ф, тип транзистора HFET, усиление 12dB

115 уп. - 3-6 недель

55 776 ₽ / уп.

249 шт. в упаковке • 224 ₽ за ед.

NE3521M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3521M04-T2-A
ВЧ полевой транзистор: частота 20 ГГц, тестовое напряжение 2 В, нормальное напряжение 4 В, корпус 4-SMD, плоские выводы, усиление 11dB

29 уп. - 3-6 недель

54 492 ₽ / уп.

956 шт. в упаковке • 57 ₽ за ед.

2N5246

Fairchild Semiconductor

2N5246
ВЧ полевой транзистор: нормальное напряжение 30 В, корпус TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), номинальный ток 7 мА

39 уп. - 3-6 недель

55 714 ₽ / уп.

626 шт. в упаковке • 89 ₽ за ед.

BF1205,115

NXP Semiconductors

BF1205,115
ВЧ полевой транзистор: частота 800 МГц, тестовое напряжение 5 В, нормальное напряжение 10 В, корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, усиление 26dB

25 уп. - 3-6 недель

55 342 ₽ / уп.

826 шт. в упаковке • 67 ₽ за ед.

MRF7P20040HSR3

Freescale Semiconductor

MRF7P20040HSR3
ВЧ полевой транзистор: частота 1,8…2,2 ГГц, тестовое напряжение 32 В, мощность передачи 10 Вт, нормальное напряжение 65 В, корпус NI-780S-4

3444 уп. - 3-6 недель

59 298 ₽ / уп.

6 шт. в упаковке • 9883 ₽ за ед.

Высокочастотные полевые транзисторы — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Высокочастотные полевые транзисторы (Дискретные полупроводники)

Высокочастотные полевые транзисторы: Двигатели современной беспроводной связи

В мире, где скорость передачи данных и стабильность связи стали критически важны, высокочастотные полевые транзисторы (RF FET) выступают в роли фундаментальных строительных блоков. Эти миниатюрные компоненты — не просто переключатели или усилители; это высокоточные инструменты, способные управлять и обрабатывать сигналы на гигагерцовых частотах, где малейшая погрешность приводит к потере информации. Их работа незаметна для конечного пользователя, но именно благодаря им мы можем пользоваться смартфоном с молниеносным 5G, наслаждаться четким спутниковым телевидением, подключаться к Wi-Fi 6 и доверять навигации GPS/ГЛОНАСС в сложных городских условиях. Без этих транзисторов немыслимы радары систем автономного вождения, медицинское оборудование для МРТ-диагностики и портативные радиостанции для служб спасения. Их уникальная способность минимизировать шумы и искажения на сверхвысоких частотах делает их незаменимыми в любой области, где важен каждый бит данных.

Высокочастотные полевые транзисторы в корпусе SOT-343

От лабораторных экспериментов к технологическому прорыву: эволюция RF FET

История высокочастотных транзисторов — это постоянная борьба с физическими ограничениями. В то время как обычные MOSFET-транзисторы эффективны на низких частотах, их паразитные емкости и индуктивности становятся непреодолимым барьером в гигагерцовом диапазоне. Прорывом стало развитие технологий на основе арсенида галлия (GaAs), который обеспечил значительно более высокую подвижность электронов по сравнению с кремнием. Это позволило создать pHEMT (псевдоморфные высокоподвижные электронные транзисторы), которые долгое время были золотым стандартом в усилителях мощности и малошумящих усилителях (LNA) для спутниковых и микроволновых систем. Однако настоящую революцию совершила нитрид-галлиевая (GaN) технология. Благодаря широкой запрещенной зоне (WBG) GaN-транзисторы способны работать при экстремально высоких температурах и напряжениях, обеспечивая беспрецедентную выходную мощность и КПД для радарных установок и базовых станций сотовой связи 5G, где энергоэффективность напрямую влияет на миллионные эксплуатационные расходы.

Как выбрать идеальный высокочастотный транзистор: ключевые параметры

Выбор конкретной модели — это всегда поиск компромисса между взаимосвязанными параметрами, определяющими конечные характеристики устройства. Первым делом необходимо определить рабочую частоту и полосу пропускания; транзистор должен сохранять стабильность и增益 (усиление) во всем требуемом диапазоне. Критически важен коэффициент шума (Noise Figure), особенно для входных каскадов приемников — в спутниковых терминалах или измерительных приборах каждый децибел шума на счету. Для передающих трактов ключевым параметром является выходная мощность (Pout) и линейность (IP3), определяющая, насколько чисто транзистор может усиливать сложные сигналы без генерации помех. Не менее важен и класс эксплуатации: для портативной носимой электроники выбирают компоненты с ультранизким энергопотреблением, тогда как для стационарных вышек связи допустимы мощные GaN-решения. Все эти характеристики жестко зависят от схемы включения и согласования, поэтому внимательное изучение даташитов и аппноутов производителя — обязательный шаг перед покупкой.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру» для поставок электронных компонентов

Обеспечение производства надежными и подлинными компонентами — наша основная задача. Мы тщательно формируем ассортимент, включая в каталог как массовые RF FET-транзисторы ведущих мировых брендов, так и узкоспециализированные решения от нишевых производителей, прошедшие многоуровневую проверку на оригинальность. Наши технические специалисты всегда готовы помочь с подбором аналога или консультацией по применению, что позволяет избежать простоев и ошибок на критических стадиях разработки. Мы понимаем, что стоимость компонентов — это лишь часть расходов, поэтому предлагаем гибкие условия оптовым клиентам, индивидуальные логистические решения и бесплатную доставку по всей территории России, чтобы вы могли сосредоточить все ресурсы на создании инновационной продукции, а не на поиске комплектующих.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП