Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Популярные
BF1202WR,135

NXP Semiconductors

BF1202WR,135
Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

2019 уп. - 3-6 недель

52 381 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 49 ₽ за ед.

BF1201WR,135

NXP Semiconductors

BF1201WR,135
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

1144 уп. - 3-6 недель

52 765 ₽ / уп.

865 шт. в упаковке • 61 ₽ за ед.

BG3130RH6327XTSA1

Infineon Technologies

BG3130RH6327XTSA1
Транзистор: RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6

267 уп. - 3-6 недель

51 369.8 ₽ / уп.

2273 шт. в упаковке • 22.6 ₽ за ед.

BG3130H6327XTSA1

Infineon Technologies

BG3130H6327XTSA1
Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

262 уп. - 3-6 недель

52 650 ₽ / уп.

2025 шт. в упаковке • 26 ₽ за ед.

BF1005E6327HTSA1

Infineon Technologies

BF1005E6327HTSA1
Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

231 уп. - 3-6 недель

52 650 ₽ / уп.

2025 шт. в упаковке • 26 ₽ за ед.

NE3510M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3510M04-T2-A
Транзистор: FET RF 4V 4GHZ M04

1109 уп. - 3-6 недель

52 432 ₽ / уп.

226 шт. в упаковке • 232 ₽ за ед.

BF1005SE6327HTSA1

Infineon Technologies

BF1005SE6327HTSA1
Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

56 уп. - 3-6 недель

53 846 ₽ / уп.

2834 шт. в упаковке • 19 ₽ за ед.

BF1201WR,115

NXP Semiconductors

BF1201WR,115
Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

115 уп. - 3-6 недель

52 381 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 49 ₽ за ед.

BF1100WR,115

NXP Semiconductors

BF1100WR,115
Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

59 уп. - 3-6 недель

52 381 ₽ / уп.

1069 шт. в упаковке • 49 ₽ за ед.

BLP10H610Z

Ampleon USA Inc.

BLP10H610Z
Транзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

124 уп. - 3-6 недель

2 149 000 ₽ / уп.

500 шт. в упаковке • 4298 ₽ за ед.

SMMBFJ310LT3G

onsemi

SMMBFJ310LT3G
Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

49278 шт - 3-6 недель

43.5 ₽

1 шт — 43.5 ₽

25 шт — 26.6 ₽

2SK3737-5-TL-E

onsemi

2SK3737-5-TL-E
Транзистор: FET RF

211 уп. - 3-6 недель

52 432 ₽ / уп.

226 шт. в упаковке • 232 ₽ за ед.

BLP7G22-05Z

Ampleon USA Inc.

BLP7G22-05Z
Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

851 уп. - 3-6 недель

53 016 ₽ / уп.

47 шт. в упаковке • 1128 ₽ за ед.

SMMBFJ309LT1G

onsemi

SMMBFJ309LT1G
Транзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23

32852 шт - 3-6 недель

36.6 ₽

1 шт — 36.6 ₽

100 шт — 22.3 ₽

BF244C

Fairchild Semiconductor

BF244C
Транзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

57 уп. - 3-6 недель

52 800 ₽ / уп.

550 шт. в упаковке • 96 ₽ за ед.

NE55410GR-T3-AZ

Renesas Electronics Corporation

NE55410GR-T3-AZ
Транзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

605 уп. - 3-6 недель

52 683 ₽ / уп.

51 шт. в упаковке • 1033 ₽ за ед.

NE3503M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3503M04-T2-A
Транзистор: FET RF 4V 12GHZ M04

115 уп. - 3-6 недель

52 539 ₽ / уп.

249 шт. в упаковке • 211 ₽ за ед.

NE3521M04-T2-A

Renesas Electronics Corporation

NE3521M04-T2-A
Транзистор: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

29 уп. - 3-6 недель

51 624 ₽ / уп.

956 шт. в упаковке • 54 ₽ за ед.

NE3515S02-T1C-A

CEL

NE3515S02-T1C-A
Транзистор: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

12 уп. - 3-6 недель

696 000 ₽ / уп.

2000 шт. в упаковке • 348 ₽ за ед.

BF1205,115

NXP Semiconductors

BF1205,115
Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP

25 уп. - 3-6 недель

52 038 ₽ / уп.

826 шт. в упаковке • 63 ₽ за ед.

Высокочастотные полевые транзисторы — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Высокочастотные полевые транзисторы (Дискретные полупроводники)

Высокочастотные полевые транзисторы: Двигатели современной беспроводной связи

В мире, где скорость передачи данных и стабильность связи стали критически важны, высокочастотные полевые транзисторы (RF FET) выступают в роли фундаментальных строительных блоков. Эти миниатюрные компоненты — не просто переключатели или усилители; это высокоточные инструменты, способные управлять и обрабатывать сигналы на гигагерцовых частотах, где малейшая погрешность приводит к потере информации. Их работа незаметна для конечного пользователя, но именно благодаря им мы можем пользоваться смартфоном с молниеносным 5G, наслаждаться четким спутниковым телевидением, подключаться к Wi-Fi 6 и доверять навигации GPS/ГЛОНАСС в сложных городских условиях. Без этих транзисторов немыслимы радары систем автономного вождения, медицинское оборудование для МРТ-диагностики и портативные радиостанции для служб спасения. Их уникальная способность минимизировать шумы и искажения на сверхвысоких частотах делает их незаменимыми в любой области, где важен каждый бит данных.

Высокочастотные полевые транзисторы в корпусе SOT-343

От лабораторных экспериментов к технологическому прорыву: эволюция RF FET

История высокочастотных транзисторов — это постоянная борьба с физическими ограничениями. В то время как обычные MOSFET-транзисторы эффективны на низких частотах, их паразитные емкости и индуктивности становятся непреодолимым барьером в гигагерцовом диапазоне. Прорывом стало развитие технологий на основе арсенида галлия (GaAs), который обеспечил значительно более высокую подвижность электронов по сравнению с кремнием. Это позволило создать pHEMT (псевдоморфные высокоподвижные электронные транзисторы), которые долгое время были золотым стандартом в усилителях мощности и малошумящих усилителях (LNA) для спутниковых и микроволновых систем. Однако настоящую революцию совершила нитрид-галлиевая (GaN) технология. Благодаря широкой запрещенной зоне (WBG) GaN-транзисторы способны работать при экстремально высоких температурах и напряжениях, обеспечивая беспрецедентную выходную мощность и КПД для радарных установок и базовых станций сотовой связи 5G, где энергоэффективность напрямую влияет на миллионные эксплуатационные расходы.

Как выбрать идеальный высокочастотный транзистор: ключевые параметры

Выбор конкретной модели — это всегда поиск компромисса между взаимосвязанными параметрами, определяющими конечные характеристики устройства. Первым делом необходимо определить рабочую частоту и полосу пропускания; транзистор должен сохранять стабильность и增益 (усиление) во всем требуемом диапазоне. Критически важен коэффициент шума (Noise Figure), особенно для входных каскадов приемников — в спутниковых терминалах или измерительных приборах каждый децибел шума на счету. Для передающих трактов ключевым параметром является выходная мощность (Pout) и линейность (IP3), определяющая, насколько чисто транзистор может усиливать сложные сигналы без генерации помех. Не менее важен и класс эксплуатации: для портативной носимой электроники выбирают компоненты с ультранизким энергопотреблением, тогда как для стационарных вышек связи допустимы мощные GaN-решения. Все эти характеристики жестко зависят от схемы включения и согласования, поэтому внимательное изучение даташитов и аппноутов производителя — обязательный шаг перед покупкой.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру» для поставок электронных компонентов

Обеспечение производства надежными и подлинными компонентами — наша основная задача. Мы тщательно формируем ассортимент, включая в каталог как массовые RF FET-транзисторы ведущих мировых брендов, так и узкоспециализированные решения от нишевых производителей, прошедшие многоуровневую проверку на оригинальность. Наши технические специалисты всегда готовы помочь с подбором аналога или консультацией по применению, что позволяет избежать простоев и ошибок на критических стадиях разработки. Мы понимаем, что стоимость компонентов — это лишь часть расходов, поэтому предлагаем гибкие условия оптовым клиентам, индивидуальные логистические решения и бесплатную доставку по всей территории России, чтобы вы могли сосредоточить все ресурсы на создании инновационной продукции, а не на поиске комплектующих.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП