BF1201WR,115 транзистор, MOSFET, N-канал, 10В, 30мА

BF1201WR, 115 NXP Semiconductors Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение включения (V_GS(th)): 115 В
• Номинальное напряжение между эмиттером и коллектором (V_CEO): 10 В
• Номинальный ток пропускаемый через канал (I_D(on)): 30 mA
• Форм-фактор: SOT343R
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Малое сопротивление при включенном состоянии
• Минимальное энергетическое затратное состояние (высокий коэффициент передачи)
• Устойчивость к электрическим шумам
• Минусы:
• Не подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности характеристики
• Требует дополнительного оборудования для управляющего сигнала
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Управление электрическими цепями
• Защита от перегрузок и скачков напряжений
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Электронные блоки питания
• Системы управления двигателей
• Инверторы и преобразователи
• Промышленные контроллеры и автоматизация