BF1202WR, 135 NXP Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
- Основные параметры:
- Рейтинг напряжения коллектора-;base: 135 В
- Рейтинг тока канала: 6 А
- Питательный коэффициент (Vgs(th)): ≤ 3.0 В
- Рейтинг частоты переключения: до 1 МГц
- Плюсы:
- Высокий уровень надежности и долговечности
- Высокая скорость переключения
- Малый размер и вес
- Низкий уровень дисперсии параметров
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-транзисторами
- Требует использования специальных методов крепления и термопрокладок для эффективного отвода тепла
- Общее назначение:
- Использование в высокочастотных системах питания
- Применение в схемах управления двигателей
- Использование в телекоммуникационных устройствах
- Применение в системах управления силовыми сетями
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы питания и управления
- Системы управления электродвигателями
- Телекоммуникационное оборудование
- Силовые преобразователи и регуляторы напряжения