BF1202WR,135

BF1202WR, 135 NXP Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

• Основные параметры:
  • Рейтинг напряжения коллектора-;base: 135 В
  • Рейтинг тока канала: 6 А
  • Питательный коэффициент (Vgs(th)): ≤ 3.0 В
  • Рейтинг частоты переключения: до 1 МГц
• Плюсы:
  • Высокий уровень надежности и долговечности
  • Высокая скорость переключения
  • Малый размер и вес
  • Низкий уровень дисперсии параметров
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-транзисторами
  • Требует использования специальных методов крепления и термопрокладок для эффективного отвода тепла
• Общее назначение:
  • Использование в высокочастотных системах питания
  • Применение в схемах управления двигателей
  • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • Применение в системах управления силовыми сетями
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания и управления
  • Системы управления электродвигателями
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Силовые преобразователи и регуляторы напряжения