Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BQ4011MA-200

BQ4011MA-200

BQ4011MA-200
;
BQ4011MA-200

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    BQ4011MA-200
  • Описание:
    Микросхема: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPВсе характеристики

Минимальная цена BQ4011MA-200 при покупке от 42 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BQ4011MA-200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BQ4011MA-200

  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Memory Format
    NVSRAM
  • Технология
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти
    256Kb (32K x 8)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    200ns
  • Время доступа
    200 ns
  • Напряжение питания
    4.75V ~ 5.5V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Исполнение корпуса
    28-DIP Module (18.42x37.72)
  • Base Product Number
    BQ4011

Техническая документация

BQ4011MA-200.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 42 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Texas Instruments
  • Артикул:
    BQ4011MA-200
  • Описание:
    Микросхема: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPВсе характеристики

Минимальная цена BQ4011MA-200 при покупке от 42 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BQ4011MA-200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BQ4011MA-200

  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Memory Format
    NVSRAM
  • Технология
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти
    256Kb (32K x 8)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    200ns
  • Время доступа
    200 ns
  • Напряжение питания
    4.75V ~ 5.5V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Исполнение корпуса
    28-DIP Module (18.42x37.72)
  • Base Product Number
    BQ4011

Техническая документация

BQ4011MA-200.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 42 шт