BR24S16FVT-WE2

BR24S16FVT-WE2 Rohm Semiconductor микросхема:

• Тип: EEPROM (ERASED EEPROM)
• Объем памяти: 16КБ
• Интерфейс: I2C
• Частота работы: 400 КГц
• Форм-фактор: 8TSSOP

Основные параметры:

• Напряжение питания: 1.7V до 5.5V
• Время записи: ~1 мс
• Время чтения: ~1 мс
• Время стирания: ~30 мс

Плюсы:

• Долговечность: Много циклов записи/чтения.
• Высокая надежность: Устойчивость к воздействиям.
• Малый размер: Компактная 8-пиновая оболочка TSSOP.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C.

Минусы:

• Скорость записи: Ограниченная по сравнению с RAM.
• Цена: Может быть выше, чем для других типов памяти.

Общее назначение:

• Сохранение настроек и конфигураций устройств.
• Загрузка небольших программ или таблиц.
• Хранение параметров настройки.

Применение в устройствах:

• Электронные часы и другие часовые устройства.
• Коммутирующие устройства.
• Устройства управления.
• Интеллектуальные датчики и сенсоры.
• Производственные контроллеры.