BSC010NE2LSATMA1

В избранное
В сравнение

BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 транзистор полевой, N-канал, 25В, 39А, 2.5Вт

Name: BSC010NE2LSATMA1 транзистор полевой, N-канал, 25В, 39А, 2.5Вт
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSATMA1
Price: 102 RUB
Availability: InStock

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSC010NE2LSATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC010NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 372.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC010NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления током в электронных схемах.

Основные параметры:

Напряжение блокировки (V_GS(th)) - 25В
Максимальный ток проводимости (I_D(on)) - 39А при 25°C, 100А при -60°C
Тип корпуса - TDSON
Тип — N-канальный MOSFET

Плюсы:

Высокая мощность и ток проводимости
Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
Доступен в компактном корпусе TDSON
Низкое напряжение включения

Минусы:

Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET-транзисторами
Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокой мощности

Общее назначение:

Использование в силовых электронных устройствах
Контроль тока в источниках питания
Применение в инверторах и преобразователях
Средства управления двигателей

В каких устройствах применяется:

Автомобильных системах
Мощных источниках питания
Промышленных преобразователях
Инверторах для бытовой техники
Двигателях электромобилей

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSC010NE2LSATMA1

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TDSON-8-7
Корпус
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSC010

Техническая документация

BSC010NE2LSATMA1.pdf

pdf. 0 kb

12 шт
в наличии
4835 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
372 ₽
10
184 ₽
500
130 ₽
5000
102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSC010NE2LSATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONВсе характеристики