Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC010NE2LSATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1
;
BSC010NE2LSATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC010NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC010NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 354.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC010NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления током в электронных схемах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)) - 25В
    • Максимальный ток проводимости (ID(on)) - 39А при 25°C, 100А при -60°C
    • Тип корпуса - TDSON
    • Тип — N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и ток проводимости
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
    • Доступен в компактном корпусе TDSON
    • Низкое напряжение включения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET-транзисторами
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных устройствах
    • Контроль тока в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Средства управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Мощных источниках питания
    • Промышленных преобразователях
    • Инверторах для бытовой техники
    • Двигателях электромобилей
Выбрано: Показать

Характеристики BSC010NE2LSATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4700 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC010

Техническая документация

 BSC010NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    в наличии
  • 4835 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    354 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 500
    124 ₽
  • 5000
    97 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC010NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC010NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 354.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC010NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления током в электронных схемах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)) - 25В
    • Максимальный ток проводимости (ID(on)) - 39А при 25°C, 100А при -60°C
    • Тип корпуса - TDSON
    • Тип — N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и ток проводимости
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
    • Доступен в компактном корпусе TDSON
    • Низкое напряжение включения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET-транзисторами
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных устройствах
    • Контроль тока в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Средства управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Мощных источниках питания
    • Промышленных преобразователях
    • Инверторах для бытовой техники
    • Двигателях электромобилей
Выбрано: Показать

Характеристики BSC010NE2LSATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4700 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC010

Техническая документация

 BSC010NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTP082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    1 171Кешбэк 175 баллов
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    272Кешбэк 40 баллов
    NVD3055-094T4G-VF01MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    235Кешбэк 35 баллов
    FDD86369-F085MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
    356Кешбэк 53 балла
    NTD360N80S3ZMOSFET N-CH 800V 13A DPAK
    523Кешбэк 78 баллов
    FDMS8050MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
    1 026Кешбэк 153 балла
    NVB150N65S3FMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    798Кешбэк 119 баллов
    MTP1N50EN-CHANNEL POWER MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    NTMFS4C024NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
    106Кешбэк 15 баллов
    FDD13AN06A0-F085MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
    217Кешбэк 32 балла
    NVMFS5C410NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
    843Кешбэк 126 баллов
    NTMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    396Кешбэк 59 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVD5490NLT4G-VF01MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
    50Кешбэк 7 баллов
    NTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    2 899Кешбэк 434 балла
    NVBG060N090SC1MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
    3 351Кешбэк 502 балла
    NTBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    1 265Кешбэк 189 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVD5C434NT4GMOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFS5C677NLT1GMOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
    256Кешбэк 38 баллов
    NVHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
    2 553Кешбэк 382 балла
    NTMTS0D6N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 554.5A
    767Кешбэк 115 баллов
    NTD250N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    593Кешбэк 88 баллов
    2N7000-D75ZMOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    FDPF7N50U-GMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    170Кешбэк 25 баллов
    NVTFS004N04CTAGMOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
    374Кешбэк 56 баллов
    NTMTS4D3N15MCSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
    1 365Кешбэк 204 балла
    NVB082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
    986Кешбэк 147 баллов
    NVD5C478NLT4GMOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    NVD5C486NT4GMOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП