Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 транзистор полевой, N-канал, 25В, 39А, 2.5Вт

BSC010NE2LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 357 ₽/шт, купить BSC010NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 5 шт
    в наличии

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    357 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    39A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4700 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC010

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления током в электронных схемах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)) - 25В
    • Максимальный ток проводимости (ID(on)) - 39А при 25°C, 100А при -60°C
    • Тип корпуса - TDSON
    • Тип — N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и ток проводимости
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
    • Доступен в компактном корпусе TDSON
    • Низкое напряжение включения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET-транзисторами
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных устройствах
    • Контроль тока в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Средства управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Мощных источниках питания
    • Промышленных преобразователях
    • Инверторах для бытовой техники
    • Двигателях электромобилей