Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BSC0911NDATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1
;
BSC0911NDATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC0911NDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8Все характеристики

Минимальная цена BSC0911NDATMA1 при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies - MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 25В
    • Максимальная непрерывная токовая способность (ID(on)): 18А
    • Максимальная токовая способность при импульсах (ID(max)): 30А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Производитель: Infineon Technologies
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к перенапряжению до 25В
    • Надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулировка мощности в различных устройствах
    • Использование в системах управления двигателем
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание электронных устройств
    • Инверторы
    • Системы управления двигателей
    • Питание компьютерной техники
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0911NDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A, 30A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSC0911

Техническая документация

 BSC0911NDATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    в наличии
  • 4875 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    459 ₽
  • 10
    229 ₽
  • 100
    168 ₽
  • 500
    131 ₽
  • 1000
    122 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC0911NDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8Все характеристики

Минимальная цена BSC0911NDATMA1 при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies - MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 25В
    • Максимальная непрерывная токовая способность (ID(on)): 18А
    • Максимальная токовая способность при импульсах (ID(max)): 30А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Производитель: Infineon Technologies
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к перенапряжению до 25В
    • Надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулировка мощности в различных устройствах
    • Использование в системах управления двигателем
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание электронных устройств
    • Инверторы
    • Системы управления двигателей
    • Питание компьютерной техники
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0911NDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A, 30A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSC0911

Техническая документация

 BSC0911NDATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMHC3025LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    214Кешбэк 32 балла
    ZXMC3A17DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    DMP3036SSS-13MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
    218Кешбэк 32 балла
    DMC1015UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    220Кешбэк 33 балла
    DMC4029SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    222Кешбэк 33 балла
    DMC1029UFDB-7Транзистор
    230Кешбэк 34 балла
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    230Кешбэк 34 балла
    DMC2020USD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
    230Кешбэк 34 балла
    DMC1028UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
    230Кешбэк 34 балла
    DMC6070LND-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
    230Кешбэк 34 балла
    DMP3036SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8-SO
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2060UFDB-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
    232Кешбэк 34 балла
    DMC4040SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
    234Кешбэк 35 баллов
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    235Кешбэк 35 баллов
    DMP4025LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
    237Кешбэк 35 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    237Кешбэк 35 баллов
    ZXMN3F31DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
    247Кешбэк 37 баллов
    DMT3011LDT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
    251Кешбэк 37 баллов
    DMC4029SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    255Кешбэк 38 баллов
    DMN1250UFEL-7MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
    262Кешбэк 39 баллов
    ZXMN10A08DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
    262Кешбэк 39 баллов
    DMC4028SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
    262Кешбэк 39 баллов
    DMN4034SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
    264Кешбэк 39 баллов
    DMP4050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    265Кешбэк 39 баллов
    DMT3009LDT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
    268Кешбэк 40 баллов
    DMHC4035LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
    270Кешбэк 40 баллов
    DMHC3025LSDQ-13Транзистор
    270Кешбэк 40 баллов
    ZXMC3AMCTAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
    279Кешбэк 41 балл
    ZXMN2AMCTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
    289Кешбэк 43 балла
    DMC4015SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
    293Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП