BV1LF080EFJ-CE2

BV1LF080EFJ-CE2 Rohm Semiconductor Микросхема: AUTOMOTIVE IPD 1CH LOW-SIDE SWIT.

• Основные параметры:
• Тип: Управляемый низшего уровня транзистор
• Количество каналов: 1
• Применение: Автомобильная промышленность
• Материал: SiC (сумеречный кремний)
• Напряжение срабатывания: 5 V
• Ток срабатывания: 3 A
• Максимальное напряжение: 60 V
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Плюсы:
• Высокая надежность при работе в условиях автомобилей
• Устойчивость к воздействиям электромагнитного излучения
• Экономичное потребление энергии
• Уменьшение количества компонентов в схеме
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
• Требуется специальное оборудование для монтажа
• Требует внимательного учета тепловых процессов
• Общее назначение:
• Управление электрическими цепями низшего уровня в автомобилях
• Реализация функций управления двигателем
• Автоматизация систем безопасности и комфорта
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы активной безопасности
• Электронные системы климат-контроля
• Инверторы для электроприводов
• Бортовые сети и системы зарядки аккумуляторов