BZT03C100-TR

TVS диод BZT03C100-TR от Vishay General Semiconductor предназначен для защиты электронных схем от импульсных перенапряжений.

• Основные параметры:
• VM (Stand-off Voltage): 82В - Максимальное рабочее напряжение, которое диод может выдерживать без срабатывания.
• VC (Breakdown Voltage): 139В - Напряжение пробоя, при котором диод начинает проводить ток для ограничения перенапряжения.
• Тип корпуса: SOD57 - Маленький поверхностно-монтируемый корпус.
• Мощность рассеяния: 300Вт (1ms)
• Время отклика: < 100 пс

Плюсы:

• Малый размер корпуса SOD57 позволяет использовать диод в компактных устройствах.
• Высокая скорость реакции на импульсные перенапряжения.
• Надёжная защита от ESD (электростатического разряда).
• Относительно низкая стоимость.

Минусы:

• Ограниченная мощность рассеяния по сравнению с более крупными TVS диодами.
• Однонаправленная защита (защищает только от перенапряжений в одном направлении).

Общее назначение:

Защита линий передачи данных, силовых линий, микросхем и других чувствительных компонентов от повреждений, вызванных электростатическим разрядом, импульсными помехами и переходными процессами.

Применяется в:

• Компьютерах и периферийных устройствах (USB, Ethernet, клавиатуры, мыши).
• Телекоммуникационном оборудовании.
• Промышленной автоматике.
• Автомобильной электронике.
• Силовых преобразователях.