Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX55C4V3
  • В избранное
  • В сравнение
BZX55C4V3

BZX55C4V3

BZX55C4V3
;
BZX55C4V3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DC COMPONENTS
  • Артикул:
    BZX55C4V3
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C4V3 при покупке от 1 шт 7.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C4V3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C4V3

BZX55C4V3 DC COMPONENTS Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение стабилизации: 4.3В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая точность стабилизации напряжения
    • Устойчивость к температурным изменениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с обычными диодами
    • Стоимость может быть выше аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Снижение уровня выходного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и телевизоры
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C4V3

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±7%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    75 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    BZX55C4

Техническая документация

 BZX55C4V3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2500 шт
    в наличии
  • 5715 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 ₽
  • 25
    6.4 ₽
  • 100
    2.95 ₽
  • 1000
    2.5 ₽
  • 5000
    2.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DC COMPONENTS
  • Артикул:
    BZX55C4V3
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C4V3 при покупке от 1 шт 7.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C4V3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C4V3

BZX55C4V3 DC COMPONENTS Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение стабилизации: 4.3В
    • Максимальная мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая точность стабилизации напряжения
    • Устойчивость к температурным изменениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с обычными диодами
    • Стоимость может быть выше аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от обратного напряжения
    • Снижение уровня выходного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и телевизоры
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C4V3

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±7%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    75 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    BZX55C4

Техническая документация

 BZX55C4V3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RD33ES-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD43E(N)-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD6.2E(N)-T2DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F-T8-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    HZ3C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS24NB2TD-EDIODE ZENER 0.4W
    35Кешбэк 5 баллов
    HZ5CLLTD-EDIODE ZENER 0.25W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS5A1TA-EDIODE ZENER 0.4W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD2.4ES-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    HZ3C1J-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM2.0NB-JTL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB1TL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB3TR-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM27NBTLDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB1TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM27NBTL-EDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB2TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM5.1NB1TR-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.6NB1JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.1NB3JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM8.2NB3JTL-EDIODE ZENER
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RKZ10B2KG#P1DIODE ZENER 10V
    26Кешбэк 3 балла
    RKZ12B2KG#P1DIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    RKZ18B2KG#P1DIODE ZENER
    26Кешбэк 3 балла
    HZ9C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD13ES-AZDIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD9.1JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП