Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX84C3V6
  • В избранное
  • В сравнение
BZX84C3V6

BZX84C3V6

BZX84C3V6
;
BZX84C3V6

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    BZX84C3V6
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 250MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BZX84C3V6 при покупке от 1 шт 28.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX84C3V6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX84C3V6

BZX84C3V6 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. — диод зенерирующий с напряжением зенера 3.6 В и мощностью 250 мВт в корпусе SOT23-3.

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 3.6 В
    • Мощность: 250 мВт
    • Корпус: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая точность напряжения зенера
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса для экономии места на печатной плате
  • Минусы:
    • Максимальная рабочая температура ограничена (около 150°C)
    • Малая мощность, не подходит для высокомощных приложений
  • Общее назначение:
    • Создание стабилизированного напряжения
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
    • Установка точного напряжения в схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZX84C3V6

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 BZX84C3V6.pdf
pdf. 0 kb
  • 1100 шт
    в наличии
  • 3081 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28.5 ₽
  • 100
    11.4 ₽
  • 1000
    7.8 ₽
  • 9000
    3.04 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    BZX84C3V6
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.6V 250MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BZX84C3V6 при покупке от 1 шт 28.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX84C3V6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX84C3V6

BZX84C3V6 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. — диод зенерирующий с напряжением зенера 3.6 В и мощностью 250 мВт в корпусе SOT23-3.

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 3.6 В
    • Мощность: 250 мВт
    • Корпус: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая точность напряжения зенера
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса для экономии места на печатной плате
  • Минусы:
    • Максимальная рабочая температура ограничена (около 150°C)
    • Малая мощность, не подходит для высокомощных приложений
  • Общее назначение:
    • Создание стабилизированного напряжения
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
    • Установка точного напряжения в схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZX84C3V6

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    90 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 BZX84C3V6.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX84B3V0-7-FДиод: DIODE ZENER 3V 300MW SOT23
    50Кешбэк 7 баллов
    DDZ33ASF-7DIODE ZENER 30.45V 500MW SOD323F
    51Кешбэк 7 баллов
    GDZ4V7LP3-7DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
    65Кешбэк 9 баллов
    BZT585B3V9TQ-7Диод: DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD523
    69Кешбэк 10 баллов
    BZT585B7V5TQ-7DIODE ZENER 7.5V 350MW SOD523
    70Кешбэк 10 баллов
    DDZ9696S-7DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323
    74Кешбэк 11 баллов
    1SMB5923BDIODE ZENER 8.2V 3W SMB
    77Кешбэк 11 баллов
    BZT585B2V4TQ-7Диод: DIODE ZENER 2.4V 350MW SOD523
    84Кешбэк 12 баллов
    BZD27C15P RVGDIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
    5Кешбэк 1 балл
    UDZS33B R9GDIODE ZENER 33V 200MW SOD323F
    5.2Кешбэк 1 балл
    BZX84C3V9 RFGДиод: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOT23
    8.7Кешбэк 1 балл
    BZT52C2V7 RHGДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C30 RHGДиод: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C16 RHGДиод: DIODE ZENER 16V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C11 RHGДиод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C20 RHGДиод: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C15 RHGДиод: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C22 RHGДиод: DIODE ZENER 22V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    BZT52C8V2 RHGДиод: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F
    10.4Кешбэк 1 балл
    MTZJ22SC R0GDIODE ZENER 21.63V 500MW DO34
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55C24 L0GДиод: DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZT52B4V7 RHGДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123F
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55B3V0 L1GДиод: DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    BZV55B3V9 L1GДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
    12.5Кешбэк 1 балл
    1SMA4751DIODE ZENER 30V 1W SMA
    12.7Кешбэк 1 балл
    BZT52C7V5 RHGДиод: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
    13.3Кешбэк 1 балл
    BZT52C75 RHGДиод: DIODE ZENER 75V 500MW SOD123F
    13.3Кешбэк 1 балл
    BZS55C3V9 RXGДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла
    BZS55C15 RXGДиод: DIODE ZENER 15V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла
    BZS55C10 RXGДиод: DIODE ZENER 10V 500MW 1206
    15.6Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП