CY14B101NA-ZS25XI

CY14B101NA-ZS25XI от Infineon Technologies — микросхема Non-Volatile Static Random Access Memory (NVSRAM) с объемом 1Мбит, упаковкой 44-пиновая TSOP II.

• Основные параметры:
  • Тип памяти: NVSRAM (непрерывно работающая статическая случайная память)
  • Объем: 1 Мбит
  • Упаковка: 44-пиновая TSOP II
  • Интерфейс: Paralel (Параллельный)
  • Рабочее напряжение: 3.3 В
  • Частота работы: до 10 МГц
• Плюсы:
  • Непрерывная работа без потребности в питании
  • Быстродействие
  • Надежность
  • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с обычной SRAM
  • Меньший объем по сравнению с DRAM
• Общее назначение:
  • Хранение критически важных данных, таких как настройки системы, ключи шифрования и т.д.
  • Кэш-память для ускорения доступа к данным
• Применение:
  • Компьютеры и серверы
  • Периферийное оборудование
  • Системы управления процессами
  • Мобильные устройства