CY14B104K-ZS45XI микросхема памяти, NVSRAM, 4Мбит, Parallel, 45нс, 2.7В ~ 3.6В

CY14B104K-ZS45XI от компании Cypress Semiconductor Corp — это микросхема типа NVSRAM (Non-Volatile Synchronous RAM) объемом 4 Мбит.

• Основные параметры:
  • Объем памяти: 4 Мбит
  • Тип: NVSRAM (неспособность к утечке)
  • Интерфейс: Synchronous (синхронный)
  • Количество выводов: 44 TSOP (Thin Small Outline Package)

• Плюсы:
  • Неспособность к утечке обеспечивает сохранение данных без питания
  • Синхронный интерфейс обеспечивает стабильную работу с высокой скоростью
  • Малый размер корпуса (TSOP) упрощает сборку и снижает стоимость

• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с обычной SRAM
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для поддержания работы без питания

Общее назначение: NVSRAM используется для хранения критически важных данных, таких как конфигурационная информация, ключи шифрования и временные данные. Он обеспечивает быстрое доступ к данным и сохраняет их даже при отключении питания.

• В каких устройствах применяется:
  • Сетевое оборудование (роутеры, коммутаторы)
  • Бытовая электроника (например, Smart TV)
  • Автомобильная электроника (автоматизированные системы управления)
  • Устройства хранения данных (NAS-системы)