Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
CY14E116N-Z30XI

CY14E116N-Z30XI

CY14E116N-Z30XI
;
CY14E116N-Z30XI

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Cypress Semiconductor Corp
  • Артикул:
    CY14E116N-Z30XI
  • Описание:
    Микросхема: IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP IВсе характеристики

Минимальная цена CY14E116N-Z30XI при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CY14E116N-Z30XI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CY14E116N-Z30XI

  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Memory Format
    NVSRAM
  • Технология
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти
    16Mb (1M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    30ns
  • Время доступа
    30 ns
  • Напряжение питания
    4.5V ~ 5.5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    48-TSOP I
  • Base Product Number
    CY14E116

Техническая документация

CY14E116N-Z30XI.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 4 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Cypress Semiconductor Corp
  • Артикул:
    CY14E116N-Z30XI
  • Описание:
    Микросхема: IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP IВсе характеристики

Минимальная цена CY14E116N-Z30XI при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CY14E116N-Z30XI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CY14E116N-Z30XI

  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Memory Format
    NVSRAM
  • Технология
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти
    16Mb (1M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    30ns
  • Время доступа
    30 ns
  • Напряжение питания
    4.5V ~ 5.5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    48-TSOP I
  • Base Product Number
    CY14E116

Техническая документация

CY14E116N-Z30XI.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4 шт