CY14V116N-BZ30XI

CY14V116N-BZ30XI от Infineon Technologies — микросхема NVSRAM (Non-Volatile Static Random Access Memory) объемом 16 Мбит, упакованная в корпус 165FBGA.

• Основные параметры:
  • Объем памяти: 16 Мбит (2 МБ)
  • Тип памяти: Non-Volatile Static RAM
  • Количество битов на ячейку: 8 бит
  • Количество ячеек: 2 миллионов
  • Количество битов в одном слове: 16 бит
  • Количество слов в одном блоке: 128 слов
  • Форм-фактор: 165_FBGA

• Плюсы:
  • Наличие непрерывного питания для сохранения данных при отключении внешнего питания
  • Высокая надежность и долгий срок службы
  • Быстрый доступ к данным
  • Малый размер и легкость интеграции в современные системы

• Минусы:
  • Цена выше по сравнению с обычной SRAM из-за непрерывного питания
  • Зависимость от источника энергии для обеспечения сохранности данных

• Общее назначение:
  • Хранение конфигурационных данных и критически важной информации
  • Сохранение состояния приложения и пользовательских настроек
  • Поддержка функций автономной работы устройств

• В каких устройствах применяется:
  • Расширяемые сетевые устройства
  • Устройства промышленного контроля и автоматизации
  • Производственные системы
  • Автомобильные системы управления
  • Устройства медицинского оборудования